[实用新型]一种可连续生长碳化硅晶体的生长炉有效
| 申请号： | 201720786652.1 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN207109145U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 宗艳民;李加林 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B35/00 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 连续 生长 碳化硅 晶体 | ||
【权利要求书】：
1.一种可连续生长碳化硅晶体的生长炉，其特征在于：生长炉包括依次相连的装料室(1)、生长室(2)和冷却室(3)；装料室(1)和生长室(2)之间设有挡板I(4)，生长室(2)和冷却室(3)之间设有挡板II(5)；装料室(1)、生长室(2)和冷却室(3)上均设有进气管I(6)和真空系统(7)；冷却室(3)上的进气管I(6)与出气管I(9)通过管路I(10)连通且管路I(10)上设有冷却装置(11)；装料室(1)侧壁上设有贯穿侧壁的装料装置；
所述的装料装置包括进料口(12)和出料口(13)，进料口(12)和出料口(13)通过管路II(14)连接，管路II(14)贯穿装料室(1)侧壁；进料口(12)位于装料室(1)内，坩埚(15)上方；管路II(14)内设有螺旋搅拌(16)；管路II(14)外部设有热风腔(17)。
2.根据权利要求1所述的一种可连续生长碳化硅晶体的生长炉，其特征在于：所述的出料口(13)处设有滤网(18)。
3.根据权利要求1所述的一种可连续生长碳化硅晶体的生长炉，其特征在于：所述的装料室(1)、生长室(2)和冷却室(3)内均设有滑轨(19)，坩埚(15)通过定位结构(8)设置于滑轨(19)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东天岳先进材料科技有限公司，未经山东天岳先进材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720786652.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种防污染碳化硅晶体生长装置
- 下一篇：一种防泄漏碳化硅晶体生长炉
