[实用新型]一种可连续生长碳化硅晶体的生长炉

说明书

技术领域

本实用新型属于晶体生长技术领域，具体涉及一种可连续生长碳化硅晶体的生长炉。

背景技术

目前，现有的晶体生长一般采用单室结构。每次晶体生长前的装料以及生长结束后取出晶体都要打开真空生长室，引起真空生长室接触大气，极易受到大气的污染和氮吸附，很难实现晶体生长以及对杂质精确控制的晶体生长。而且，晶体生长完成后必须要等待生长室内温度降低后才能进行取料，该过程需要消耗大量的时间，影响加工效率。另外，晶体生长所需的氧化率粉末极易受潮，加料过程中，氧化铝粉末会吸收空气中的水分固结成块，造成加料困难。

发明内容

针对上述问题，本实用新型提出了一种可连续生长碳化硅晶体的生长炉，采用本实用新型可以在晶体生长过程中顺畅供料，并且高效持续的生长出高质量晶体。

本实用新型采用以下技术方案：一种可连续生长碳化硅晶体的生长炉，生长炉包括依次相连的装料室、生长室和冷却室；装料室和生长室之间设有挡板I，生长室和冷却室之间设有挡板II；装料室、生长室和冷却室上均设有进气管I和真空系统；冷却室上的进气管I与出气管I通过管路I连通且管路I上设有冷却装置；装料室侧壁上设有贯穿侧壁的装料装置；

所述的装料装置包括进料口和出料口，进料口和出料口通过管路II连接，管路II贯穿装料室侧壁；进料口位于装料室内坩埚上方；管路II内设有螺旋搅拌；管路II外部设有热风腔。

具体使用时，先通过真空系统将装料室内抽真空，然后通过进气口向装料室内通入惰性气体，启动装料装置，向坩埚内装料。管路II内设有螺旋搅拌，可以将结块的氧化率粉末打散。管路II外部的热风腔内可以通有热风，对氧化率粉末起到一定的干燥作用。装料完毕。将生长室内抽真空然后通入惰性气体，待生长室内压力达到一定数值，开启挡板I，将装料的坩埚移送至生长室内，进行晶体的生长。待晶体生长完毕，将冷却室抽真空，并通入惰性保护气体，待生长室内压力达到一定数值，开启挡板II，将坩埚移送至冷却室内进行冷却。冷却过程中，冷却室内的惰性气体可以通过出气管I进入冷却装置被冷却后再次通过进气管I进入冷却室。在晶体的冷却过程中，装料室和生长室可以继续进行相应的操作。

所述的出料口处设有滤网，可以进一步保证长晶原料的粒径，进而保证最终晶体的质量。

所述的装料室、生长室和冷却室内均设有滑轨，坩埚通过定位结构设置于滑轨上，可以实现坩埚的轻松移动、定位。

另外，为了保证生长室的保温效果，挡板I和挡板II均采用隔热材料。

综上所述，本实用新型结构简单，使用方便，本实用新型可以在晶体生长过程中顺畅供料，提高了工作效率，生长出高质量晶体。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图中：1、装料室，2、生长室，3、冷却室，4、挡板I，5、挡板II，6、进气管I，7、真空系统，8、定位结构，9、出气管I，10、管路I，11、冷却装置，12、进料口，13、出料口，14、管路II，15、坩埚，16、螺旋搅拌，17、热风腔，18、滤网，19、滑轨。

具体实施方式

一种可连续生长碳化硅晶体的生长炉，生长炉包括依次相连的装料室1、生长室2和冷却室3；装料室1和生长室2之间设有挡板I4，生长室2和冷却室3之间设有挡板II5；装料室1、生长室2和冷却室3上均设有进气管I6和真空系统7；冷却室3上的进气管I6与出气管I9通过管路I10连通且管路I10上设有冷却装置11；装料室1侧壁上设有贯穿侧壁的装料装置；

所述的装料装置包括进料口12和出料口13，进料口12和出料口13通过管路II14连接，管路II14贯穿装料室1侧壁；进料口12位于装料室1内坩埚15上方；管路II14内设有螺旋搅拌16；管路II14外部设有热风腔17。

所述的出料口13处设有滤网18。

所述的装料室1、生长室2和冷却室3内均设有滑轨19，坩埚15通过定位结构8设置于滑轨19上。