[实用新型]一种倒装LED芯片

摘要

本实用新型提供了一种倒装LED芯片，在衬底上依次形成缓冲层和发光结构，其中，发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层、金属反射电极层、金属阻挡层、第一反射钝化层、第一电极和第二电极，在发光结构表面形成第二反射钝化层，对第二反射钝化层进行刻蚀，在所述第一电极表面形成第一裸露区域，在所述第二电极表面形成第二裸露区域，在第一裸露区域形成第一焊盘，在第二裸露区域形成第二焊盘。从有源层发出的光通过金属反射电极层、第一反射钝化层和第二反射钝化层，一部分从倒装LED芯片的侧壁折射出去，一部分反射回衬底一侧，在不增加额外复杂工艺的条件下，极大地提高了有源层的出光效率，从而提高了芯片的亮度。

主权项

一种倒装LED芯片，包括：衬底；设于所述衬底表面的缓冲层和发光结构，所述发光结构包括设于衬底表面的第一半导体层，设于所述第一半导体层表面的有源层、第一反射钝化层和第一电极，设于所述有源层表面的第二半导体层，设于第二半导体层表面的金属反射电极层，设于所述金属反射电极层表面的金属阻挡层，设于所述金属阻挡层表面的第一反射钝化层和第二电极，所述第一电极和所述第二电极之间相互绝缘；设于发光结构表面的第二反射钝化层；贯穿所述第二反射钝化层，设于第一电极表面的第一焊盘，设于第二电极表面的第二焊盘。