[实用新型]一种倒装LED芯片

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管技术领域，尤其涉及一种倒装LED芯片。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

LED芯片的发光效率主要由内量子效率和外量子效率决定。目前，LED 芯片的内量子效率已经达到90％以上，但外量子效率却较低。因此，如何提高LED芯片的外量子效率，已经成为业界的重点研究方向。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种倒装LED芯片，结构简单、外量子效率高。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种倒装LED芯片，包括：

衬底；

设于所述衬底表面的缓冲层和发光结构，所述发光结构包括设于衬底表面的第一半导体层，设于所述第一半导体层表面的有源层、第一反射钝化层和第一电极，设于所述有源层表面的第二半导体层，设于第二半导体层表面的金属反射电极层，设于所述金属反射电极层表面的金属阻挡层，设于所述金属阻挡层表面的第一反射钝化层和第二电极，所述第一电极和所述第二电极之间相互绝缘；设于发光结构表面的第二反射钝化层；

贯穿所述第二反射钝化层，设于第一电极表面的第一焊盘，设于第二电极表面的第二焊盘。

作为上述方案的改进，所述金属反射电极层由ITO、Ag、Au、Al、Cr、 Ni和Ti中的一种或几种制成。

作为上述方案的改进，所述第一反射钝化层或所述第二反射钝化层由多层折射率不同的反射材料制成。

作为上述方案的改进，所述反射材料选用SiO₂、Si₃N₄、TiO₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、ZnSe、ZnS、ZrO₂、Al₂O₃中的两种或两种以上。

实施本发明，具有如下有益效果：

1、本发明提供的一种倒装LED芯片，在第二半导体层表面形成一层金属反射电极层，将背离衬底一侧的光反射回衬底一侧，在不增加额外复杂工艺的条件下，从而提高芯片的出光效率，进而提高芯片的亮度。

2、本发明提供的一种倒装LED芯片，在金属阻挡层表面形成第一反射钝化层，将部分穿过金属反射电极层的光从倒装LED芯片的侧壁折射出去，将部分穿过金属反射电极层的光反射回衬底一侧，从而提高芯片的出光效率，进而提高芯片的亮度。

3、本发明提供的一种倒装LED芯片，在所述发光结构表面形成第二反射钝化层，从有源层发出的光穿过所述第一反射层，部分通过所述第二反射钝化层从倒装LED芯片的侧壁折射出去，部分通过所述第二反射钝化层反射回衬底一侧，极大地提高了有源层的出光效率，从而提高了芯片的亮度。此外，所述第二反射钝化层包裹了第一电极和第二电极外的整个倒装LED芯片表面，也包裹了有源层在刻蚀后暴露的侧壁，有效地钝化了整个倒装LED芯片表面，一方面通过降低表面泄漏改善了倒装LED芯片的电学特性，另一方面在有源区侧壁降低了非辐射复合，增加了辐射复合。

附图说明

图1为本发明实施例的一种倒装LED芯片的制作方法流程图；

图2a为本发明实施例的倒装LED芯片形成缓冲层和发光结构的结构示意图；

图2b为本发明实施例的倒装LED芯片形成第二反射钝化层的结构示意图；

图2c为本发明实施例的倒装LED芯片形成第一裸露区域和第二裸露区域的结构示意图；

图2d为本发明实施例的倒装LED芯片的结构示意图；

图3为本发明实施例的发光结构的制作方法流程图；

图4为本发明另一实施例的一种倒装LED芯片的制作方法流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。

倒装LED芯片的制作方法实施例一

本实施例提供了一种倒装LED芯片的制作方法，其流程图如图1所示，包括以下步骤：

S1：提供一衬底；