[实用新型]一种倒装LED芯片

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，包括：

衬底；

设于所述衬底表面的缓冲层和发光结构，所述发光结构包括设于衬底表面的第一半导体层，设于所述第一半导体层表面的有源层、第一反射钝化层和第一电极，设于所述有源层表面的第二半导体层，设于第二半导体层表面的金属反射电极层，设于所述金属反射电极层表面的金属阻挡层，设于所述金属阻挡层表面的第一反射钝化层和第二电极，所述第一电极和所述第二电极之间相互绝缘；

设于发光结构表面的第二反射钝化层；

贯穿所述第二反射钝化层，设于第一电极表面的第一焊盘，设于第二电极表面的第二焊盘。

2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述金属反射电极层由ITO、Ag、Au、Al、Cr、Ni和Ti中的一种或几种制成。

3.根据权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一反射钝化层或所述第二反射钝化层由多层折射率不同的反射材料制成。

4.根据权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射材料选用SiO₂、Si₃N₄、TiO₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、ZnSe、ZnS、ZrO₂、Al₂O₃中的两种或两种以上。