[实用新型]高频头内电路板有效
申请号: | 201720723270.4 | 申请日: | 2017-06-21 |
公开(公告)号: | CN206948478U | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 张金国 | 申请(专利权)人: | 江苏金国电子有限公司 |
主分类号: | H04N5/50 | 分类号: | H04N5/50;H04N7/20;H04N21/426 |
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地址: | 212300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高频头内电路板,包括高频放大单元(1)、BPF带通滤波电路单元(2)、介质DR本振单元(3)、无源场效应管FET阻性混频器单元(4)、控制芯片单元(5)、中频输出放大电路单元(6),所述高频放大单元(1)通过电阻R1、R2、R3及铜箔线条和控制芯片单元(5)连接,所述BPF带通滤波电路单元(2)通过铜箔连接在高频放大单元(1)和无源场效应管FET阻性混频器单元(4)之间,所述无源场效应管FET阻性混频器单元(4)通过铜箔连接在BPF带通滤波电路单元(2),并通过电容C15与介质DR本振单元(3)连接,同时通过电容C19和中频输出放大电路单元(6)连接。本实用新型具有失真小,噪声低的优点。 | ||
搜索关键词: | 高频头 电路板 | ||
【主权项】:
一种高频头内电路板,包括高频放大单元(1)、BPF带通滤波电路单元(2)、介质DR本振单元(3)、无源场效应管FET阻性混频器单元(4)、控制芯片单元(5)、中频输出放大电路单元(6),其特征在于:所述高频放大单元(1)通过电阻R1、R2、R3及铜箔线条和控制芯片单元(5)连接,所述BPF带通滤波电路单元(2)通过铜箔连接在高频放大单元(1)和无源场效应管FET阻性混频器单元(4)之间,所述无源场效应管FET阻性混频器单元(4)通过铜箔连接在BPF带通滤波电路单元(2),并通过电容C15与介质DR本振单元(3)连接,同时通过电容C19和中频输出放大电路单元(6)连接。
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