[实用新型]高频头内电路板有效

专利信息
申请号: 201720723270.4 申请日: 2017-06-21
公开(公告)号: CN206948478U 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 张金国 申请(专利权)人: 江苏金国电子有限公司
主分类号: H04N5/50 分类号: H04N5/50;H04N7/20;H04N21/426
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 212300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 高频头 电路板
【权利要求书】:

1.一种高频头内电路板,包括高频放大单元(1)、BPF带通滤波电路单元(2)、介质DR本振单元(3)、无源场效应管FET阻性混频器单元(4)、控制芯片单元(5)、中频输出放大电路单元(6),其特征在于:所述高频放大单元(1)通过电阻R1、R2、R3及铜箔线条和控制芯片单元(5)连接,所述BPF带通滤波电路单元(2)通过铜箔连接在高频放大单元(1)和无源场效应管FET阻性混频器单元(4)之间,所述无源场效应管FET阻性混频器单元(4)通过铜箔连接在BPF带通滤波电路单元(2),并通过电容C15与介质DR本振单元(3)连接,同时通过电容C19和中频输出放大电路单元(6)连接。

2.根据权利要求1所述的高频头内电路板,其特征在于:所述中频输出放大电路单元(6)连接在无源场效应管FET阻性混频器单元(4)和高频转接头之间。

3.根据权利要求1所述的高频头内电路板,其特征在于:所述无源场效应管FET阻性混频器单元(4)包括电阻R4和场效应管FET管Q4,所述电阻R4一端接地,另外一端连接到BPF带通滤波电路单元(2)和场效应管FET管Q4的栅极连接处,所述场效应管FET管Q4的栅极连接到电阻R4和BPF带通滤波电路单元(2)连接处,所述场效应管FET管Q4的源极接地,所述场效应管FET管Q4的漏极通过电容C15与介质DR本振单元(3)连接,以及通过一组印刷电感及电容C19与中频输出放大电路单元(6)。

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