[实用新型]高频头内电路板

说明书

技术领域

本发明涉及高频头技术领域，尤其涉及一种高频头内电路板。

背景技术

高频头的作用是接收卫星电视信号，并进行频道选择、信号放大及降频处理，最终输出稳定的信号；其中高频头内电路板上的设有的混频器一般都采用非线性元件来实现，但是只要是采用非线性器件去完成混频操作的，就不可避免的会产生相对较高的交调失真，杂波响应和其他的非线性失真。

因此急需要设计一种可解决上述技术问题的高频头内电路板。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种具有失真小，噪声低的优点的高频头内电路板。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种高频头内电路板，包括高频放大单元、BPF带通滤波电路单元、介质DR本振单元、无源场效应管FET阻性混频器单元、控制芯片单元、中频输出放大电路单元，其特征在于：所述高频放大单元通过电阻R1、R2、R3及铜箔线条和控制芯片单元连接，所述BPF带通滤波电路单元通过铜箔连接在高频放大单元和无源场效应管FET阻性混频器单元之间，所述无源场效应管FET阻性混频器单元通过铜箔连接在BPF带通滤波电路单元，并通过电容C15与介质DR本振单元连接，同时通过电容C19和中频输出放大电路单元连接。

进一步的，所述中频输出放大电路单元连接在无源场效应管FET阻性混频器单元和高频转接头之间。

进一步的，所述无源场效应管FET阻性混频器单元包括电阻R4和场效应管FET管Q4，所述电阻R4一端接地，另外一端连接到BPF带通滤波电路单元和场效应管FET管Q4的栅极连接处，所述场效应管FET管Q4的栅极连接到电阻R4和BPF带通滤波电路单元连接处，所述场效应管FET管Q4的源极接地，所述场效应管FET管Q4的漏极通过电容C15与介质DR本振单元连接，以及通过一组印刷电感及电容C19与中频输出放大电路单元。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：

本实用新型具有失真小，噪声低的优点。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图中标号：

1-高频放大单元2- BPF带通滤波电路单元

3-介质DR本振单元4-无源场效应管FET阻性混频器单元5-控制芯片单元6-中频输出放大电路单元。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的较佳实施例作详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围作出更为清楚明确的界定。

参见图1所示，一种高频头内电路板，包括高频放大单元1、BPF带通滤波电路单元2、介质DR本振单元3、无源场效应管FET阻性混频器单元4、控制芯片单元5、中频输出放大电路单元6，所述高频放大单元1通过电阻R1、R2、R3及铜箔线条和控制芯片单元5连接，所述BPF带通滤波电路单元2通过铜箔连接在高频放大单元1和无源场效应管FET阻性混频器单元4之间，所述无源场效应管FET阻性混频器单元4通过铜箔连接在BPF带通滤波电路单元2，并通过电容C15与介质DR本振单元3连接，同时通过电容C19和中频输出放大电路单元6连接；所述中频输出放大电路单元6连接在无源场效应管FET阻性混频器单元4和高频转接头之间；所述无源场效应管FET阻性混频器单元4包括电阻R4和场效应管FET管Q4，所述电阻R4一端接地，另外一端连接到BPF带通滤波电路单元2和场效应管FET管Q4的栅极连接处，所述场效应管FET管Q4的栅极连接到电阻R4和BPF带通滤波电路单元2连接处，所述场效应管FET管Q4的源极接地，所述场效应管FET管Q4的漏极通过电容C15与介质DR本振单元3连接，以及通过一组印刷电感及电容C19与中频输出放大电路单元6。

以上所述的实例仅仅对实施方式进行描述，并非对范围进行限定，在不脱离本发明设计精神前提下，本领域普通技术人员对本高频头内电路板技术方案作出的各种变形和改进，均落入本发明权利要求书确定的保护范围内。