[实用新型]一种用于提高晶圆内膜厚度均匀性的设备有效
| 申请号： | 201720557420.9 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN207367927U | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 顾瑾 | 申请（专利权）人： | 顾瑾 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200093 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型揭露了一种用于提高晶圆内膜厚度均匀性的设备。这个设备是用于集成电路芯片生产。这个设备通过将晶圆朝上方放置，将化学磨料流到晶圆表面，用一个或多个直径介于10～40毫米之间的贴有研磨垫的研磨头在晶圆表面进行有选择性的差异化研磨，差异化研磨是通过将研磨头经过的路线分成若干个区间，并在不同区间内采用不同压力和扫描速度来实现的，区间的数目和每个区间的大小是根据处理前测量的晶圆内厚度的实际分布来决定。这样可以大幅度改进晶圆内膜厚度均匀性，从而满足日益严苛的工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提高 内膜 厚度 均匀 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于提高晶圆内膜厚度均匀性的设备，该设备包括朝上方放置的晶圆、流到晶圆表面的化学磨料、在晶圆表面进行研磨的一个或多个直径介于10～40毫米之间的贴有研磨垫的研磨头，研磨头经过的路线分成若干个区间，不同区间内的压力和扫描速度不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于顾瑾，未经顾瑾许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720557420.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种便携式化学试验箱
- 下一篇：一种金针菇培养基的装瓶机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
