[实用新型]一种用于提高晶圆内膜厚度均匀性的设备有效
| 申请号: | 201720557420.9 | 申请日: | 2017-05-18 |
| 公开(公告)号: | CN207367927U | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
| 发明(设计)人: | 顾瑾 | 申请(专利权)人: | 顾瑾 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 200093 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 提高 内膜 厚度 均匀 设备 | ||
1.一种用于提高晶圆内膜厚度均匀性的设备,该设备包括朝上方放置的晶圆、流到晶圆表面的化学磨料、在晶圆表面进行研磨的一个或多个直径介于10~40毫米之间的贴有研磨垫的研磨头,研磨头经过的路线分成若干个区间,不同区间内的压力和扫描速度不同。
2.根据权利要求1所述的设备,其特征是将研磨,清洗,干燥和厚度测量结合在同一设备内完成。
3.根据权利要求1所述的设备,其特征是研磨头在晶圆表面上移动的路径有圆弧形。
4.根据权利要求1所述的设备,其特征是研磨头在晶圆表面上移动的路径有沿着半径的直线形。
5.根据权利要求1所述的设备,其特征是研磨头在晶圆表面上移动的路径有沿着直径的直线形。
6.根据权利要求1所述的设备,其特征是区间的数目和每个区间的大小是根据处理前测量的晶圆内厚度的实际分布来决定。
7.根据权利要求1所述的设备,其特征是先后将多个不同直径的研磨头在晶圆表面进行研磨,可以采用相同或不同的移动路径。
8.根据权利要求1所述的设备,其特征是同时将多个不同直径的研磨头放置在晶圆表面进行研磨,可以采用相同或不同的移动路径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





