[实用新型]一种DFN2020‑6单芯片高密度框架有效
| 申请号： | 201720510273.X | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN206685378U | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 罗天秀;樊增勇;崔金忠;李东;许兵;李宁;李超 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所51221 | 代理人： | 王芸,熊晓果 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造技术，具体涉及一种DFN2020‑6单芯片高密度框架，包括板状结构的矩形框架，在框架上设多个与DFN2020‑6封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚槽，所述芯片安装部为矩形结构，所述引脚槽包括源极引脚槽和栅极引脚槽，所述源极引脚槽和栅极引脚槽所占框架面积比大于41，且源极引脚槽和栅极引脚槽全部设置于芯片安装部的一个方位上。该框架将引线槽分成源极引脚槽和栅极引脚槽，分区布置引线，减少引脚槽设置，更将源极引脚槽和栅极引脚槽全部设置在芯片安装部的一个方位上，减小相邻芯片安装部之间的距离，提高材料利用率、减少生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dfn2020 芯片 高密度 框架 | ||
【主权项】：
一种DFN2020‑6单芯片高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上设多个与DFN2020‑6封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚槽，所述芯片安装部为矩形结构，所述引脚槽包括源极引脚槽和栅极引脚槽，所述源极引脚槽和栅极引脚槽所占框架面积比大于4:1，且源极引脚槽和栅极引脚槽全部设置于芯片安装部的一个方位上。
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