[实用新型]一种DFN2020‑6单芯片高密度框架

权利要求书

1.一种DFN2020-6单芯片高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上设多个与DFN2020-6封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚槽，所述芯片安装部为矩形结构，所述引脚槽包括源极引脚槽和栅极引脚槽，所述源极引脚槽和栅极引脚槽所占框架面积比大于4:1，且源极引脚槽和栅极引脚槽全部设置于芯片安装部的一个方位上。

2.根据权利要求1所述的DFN2020-6单芯片高密度框架，其特征在于，布置于芯片安置区内的芯片引出8根引线焊接于源极引脚槽，引出1根引线焊接于栅极引脚槽内。

3.根据权利要求1所述的DFN2020-6单芯片高密度框架，其特征在于，相邻的芯片安装部之间设有切割道连筋，每个芯片安装部周围设有多个连接块与切割道连筋相连。

4.根据权利要求3所述的DFN2020-6单芯片高密度框架，其特征在于，相邻芯片安装部上的连接块以切割道中心线对称设置。

5.根据权利要求4所述的DFN2020-6单芯片高密度框架，其特征在于，在切割道连筋横竖交错的位置设置十字形连筋，所述十字形连筋布置于芯片安装部周围的四个角上。

6.根据权利要求1-5之一所述的DFN2020-6单芯片高密度框架，其特征在于，所述框架的边框和布置芯片安装部的区域通过一圈边框孔分隔开，分别为沿框架横向和竖向布置的横向边框孔和竖向边框孔。

7.根据权利要求6所述的DFN2020-6单芯片高密度框架，其特征在于，所述横向边框孔包括间隔设置的矩形半腐蚀区，在矩形半腐蚀区内设置条形中部通孔；所述中部通孔分为两种：与边框横向平行或垂直，两种中部通孔间隔设置。

8.根据权利要求7所述的DFN2020-6单芯片高密度框架，其特征在于，所述竖向边框孔包括沿框架竖向间隔设置的矩形通孔，所述矩形通孔中部设有中部连筋。

9.根据权利要求1所述的DFN2020-6单芯片高密度框架，其特征在于，所述框架上设有单元分隔槽，所述单元分隔槽设置在框架中部，将框架均分为2个芯片安装单元。

10.根据权利要求9所述的DFN2020-6单芯片高密度框架，其特征在于，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，在每个芯片安装单元内均布置有27排、52列芯片安装部。