[实用新型]有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201720274527.2 | 申请日: | 2017-03-21 |
公开(公告)号: | CN206685389U | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 刘振宇;龚立伟;林熙乾;卢宏傑 | 申请(专利权)人: | 宸鸿光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾台北市内湖*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种有机发光二极管显示装置,包含主动阵列基板、至少一有机发光二极管以及封装板。主动阵列基板包含光吸收层及至少一主动元件。主动元件位于光吸收层上方。有机发光二极管配置在主动阵列基板上方。有机发光二极管包含第一电极、第二电极以及有机发光层。第一电极配置于邻近主动元件的一侧。第二电极与第一电极相对设置,其中第一电极及第二电极在可见光波长范围内的一波长的穿透率大于0.6。有机发光层夹设于第一电极与第二电极之间。封装板配置于有机发光二极管上方。通过使用具光学低反射率及高穿透率的材料作为第一电极及第二电极,并通过设置光吸收层来降低及消弭原本的光学反射现象,从而提高有机发光二极管显示装置的亮室对比。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
【主权项】:
一种有机发光二极管显示装置,其特征在于,包含:一主动阵列基板,包含一光吸收层及至少一主动元件位于该光吸收层上方;至少一有机发光二极管,配置在该主动阵列基板上方,该有机发光二极管包含:一第一电极,配置于邻近该主动元件的一侧;一第二电极,与该第一电极相对设置,其中该第一电极及该第二电极在可见光波长范围内的一波长的穿透率大于0.6;以及一有机发光层,夹设于该第一电极与该第二电极之间;以及一封装板,配置于该有机发光二极管上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的