[实用新型]有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201720274527.2 | 申请日: | 2017-03-21 |
公开(公告)号: | CN206685389U | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 刘振宇;龚立伟;林熙乾;卢宏傑 | 申请(专利权)人: | 宸鸿光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾台北市内湖*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型是有关于一种有机发光二极管显示装置。
背景技术
有机发光二极管显示器被视为下一世代的主流技术。在传统的有机发光二极管显示器中,为了提高出光效率,采用高反射率的材料作为有机发光二极管的驱动电极,使得向下方发射的光线能够被下方的驱动电极反射向上,从而得到较高的出光效率。此外,也有人提出微型光学共振腔的有机发光二极管显示器,在此种技术中,除了有机发光二极管的下驱动电极必须使用高反射率的材料之外,上驱动电极也必须具备一定的反射率,此种类型的显示器能够提供较佳的色彩饱和度、较高的正视角亮度,但是也有一些缺点。例如,虽然在正视方向上提高了显示器的亮度及色彩饱和度,但是却造成大视角的影像的色彩失真,而且亮度随视角增加而大幅的下降。
在上述的技术中,虽然得到高的出光效率,但是也造成一些问题。例如,高反射率的电极会反射从外界入射的光线,因此当使用者处在高亮度的环境光源下(例如,室外的太阳光),从外界经由面板反射的光线将严重影响到原本显示器的显示画面,导致使用者无法清楚看见原本显示器的显示画面。此外,在微型光学共振腔的技术中,此种技术虽然能够提供较佳的色彩饱和度以及较高的正视角亮度,但是因为必须使用高光学反射的电极,所以也面临同样的问题。
为了解决上述的问题,在已知技术中,在有机发光二极管显示器的显示面上方外加一组抗反射的光学膜组,以降低有机发光二极管面板对外界光线的反射现象。这种抗反射的光学膜组的结构是由偏光片(polarizer)与1/4波板(1/4λwave plate)所构成。此种结构的抗反射光学膜组虽然解决外界光的反射问题,但是却同时导致有机发光二极管显示器的亮度损失达50%-60%(因一片偏光片的穿透率仅约40-50%),而且造成整体装置的厚度及重量的增加。因此,有必要提出一种新的有机发光二极管显示面板,以改善此一存在的技术问题。
此外,现有的有机发光二极管显示器中的有机发光材料及高活性电极均是采用容易受水气及氧气影响的材料,因此,现有的有机发光二极管显示器需要严密的封装制程来避免外界的水气及氧气进入而降低有机发光二极管的使用寿命。目前最常使用的是以玻璃基板作为有机发光二极管的上下基板,且利用该玻璃基板来降低水气及氧气的穿透率,确保有机发光二极管元件的寿命及品质。然而,如果考虑到整体的重量、厚度,甚至是未来可挠式的应用,就不可避免的需要使用到塑胶基板,但使用塑胶机板将会降低阻绝水气及氧气穿透的能力,进而降低有机发光二极管的寿命及品质。
实用新型内容
本实用新型以下揭露的一或多的实施方式能够解决上述环境光的反射问题,并且相较于外挂式的抗反射膜组,本实用新型的实施方式能够提高有机发光二极管显示装置整体的发光效率。此外,更可提高有机发光二极管显示装置的信赖性,并且更适合用于可挠式的应用。
根据本实用新型某些实施方式,是揭露一种有机发光二极管显示装置。在此揭露的有机发光二极管显示装置包含主动阵列基板、至少一有机发光二极管以及封装板。主动阵列基板包含光吸收层及至少一主动元件。主动元件位于光吸收层上方。有机发光二极管配置在主动阵列基板上方。有机发光二极管包含第一电极、第二电极以及有机发光层。第一电极配置于邻近主动元件的一侧。第二电极与第一电极相对设置,其中第一电极及第二电极在可见光波长范围内的一波长的穿透率大于0.6。有机发光层夹设于第一电极与第二电极之间。封装板配置于有机发光二极管上方。
在一实施方式中,主动阵列基板还包含载板,光吸收层配置在载板的第一表面,且主动元件配置在光吸收层上。
在一实施方式中,主动阵列基板还包含载板,光吸收层配置在载板的第二表面,且光吸收层与主动元件配置在载板的相对两侧。
在一实施方式中,光吸收层构成主动阵列基板的载板,且主动元件配置在载板上。
在一实施方式中,光吸收层为单层的有机材质或无机材质结构,或为复合有机材质及无机材质的多层结构。
在一实施方式中,光吸收层为在可见光波长范围内的一波长的反射率小于0.3的光吸收层。
在一实施方式中,光吸收层为在可见光波长范围内的一波长的光学密度大于0.7的光吸收层。
在一实施方式中,主动阵列基板还包含遮光层,配置在主动元件上方。
在一实施方式中,遮光层对准主动元件,且遮光层的面积大于主动元件的面积。
在一实施方式中,遮光层对准主动元件的一金属导线,并且完全覆盖金属导线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的