[实用新型]有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201720274527.2 | 申请日: | 2017-03-21 |
公开(公告)号: | CN206685389U | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 刘振宇;龚立伟;林熙乾;卢宏傑 | 申请(专利权)人: | 宸鸿光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾台北市内湖*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,其特征在于,包含:
一主动阵列基板,包含一光吸收层及至少一主动元件位于该光吸收层上方;
至少一有机发光二极管,配置在该主动阵列基板上方,该有机发光二极管包含:一第一电极,配置于邻近该主动元件的一侧;一第二电极,与该第一电极相对设置,其中该第一电极及该第二电极在可见光波长范围内的一波长的穿透率大于0.6;以及一有机发光层,夹设于该第一电极与该第二电极之间;以及
一封装板,配置于该有机发光二极管上方。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该主动阵列基板还包含一载板,该光吸收层配置在该载板的一第一表面,且该主动元件配置在该光吸收层上。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该主动阵列基板还包含一载板,该光吸收层配置在该载板的一第二表面,且该光吸收层与该主动元件配置在该载板的相对两侧。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该光吸收层构成该主动阵列基板的一载板,且该主动元件配置在该载板上。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该光吸收层为单层的有机材质或无机材质结构,或为复合有机材质及无机材质的多层结构。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该光吸收层为在可见光波长范围内的一波长的反射率小于0.3的光吸收层。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该光吸收层为在可见光波长范围内的一波长的光学密度大于0.7的光吸收层。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该主动阵列基板还包含一遮光层,配置在该主动元件上方。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该遮光层对准该主动元件,且该遮光层的面积大于该主动元件的面积。
10.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该遮光层对准该主动元件的一金属导线,并且完全覆盖该金属导线。
11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,还包括:
一彩色滤光层,设置在该有机发光层与该封装板之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的