[实用新型]具有增大的附接角度的导电线的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201720208944.7 申请日: 2017-03-06
公开(公告)号: CN206685370U 公开(公告)日: 2017-11-28
发明(设计)人: 江俊河;山坤书;纳锡河;金真烨;金阳奎;江森河;林德英;洪森门;金森竣;柳森汉;姜坤南;俞雄赫 申请(专利权)人: 艾马克科技公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L21/60;H01L23/552
代理公司: 北京寰华知识产权代理有限公司11408 代理人: 林柳岑
地址: 美国亚利桑那州85*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实用新型涉及具有增大的附接角度的导电线的半导体装置。所述半导体装置包括衬底;半导体裸片,其安装到所述衬底;屏蔽线,其与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成;以及辅助结构,其在所述屏蔽线下支撑所述屏蔽线。本实用新型所解决的技术问题为克服制造半导体装置的问题。本实用新型所达到的技术效果为提供具有改良可制造性的半导体装置。
搜索关键词: 具有 增大 角度 导电 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,包括:衬底;半导体裸片,其安装到所述衬底;屏蔽线,其与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成;以及辅助结构,其在所述屏蔽线下支撑所述屏蔽线。
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