[实用新型]具有增大的附接角度的导电线的半导体装置有效
| 申请号: | 201720208944.7 | 申请日: | 2017-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN206685370U | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
| 发明(设计)人: | 江俊河;山坤书;纳锡河;金真烨;金阳奎;江森河;林德英;洪森门;金森竣;柳森汉;姜坤南;俞雄赫 | 申请(专利权)人: | 艾马克科技公司 |
| 主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L21/60;H01L23/552 |
| 代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司11408 | 代理人: | 林柳岑 |
| 地址: | 美国亚利桑那州85*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 增大 角度 导电 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:
衬底;
半导体裸片,其安装到所述衬底;
屏蔽线,其与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成;以及
辅助结构,其在所述屏蔽线下支撑所述屏蔽线。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述衬底上安装有至少一个电路装置;
所述半导体裸片与所述电路装置间隔开;
所述辅助结构包括辅助线;
所述衬底包含在所述半导体裸片的一侧处形成的第一接合垫和在所述半导体裸片的另一侧处形成的第二接合垫;
所述屏蔽线的一端连接到所述第一接合垫,且所述屏蔽线的另一端横跨所述半导体裸片连接到所述第二接合垫;且
所述辅助线形成为大体上垂直于所述屏蔽线。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述辅助结构包括一或多个辅助线且以弓形形成;且
所述一或多个辅助线形成为彼此平行或彼此相交。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述辅助结构包含辅助线,所述辅助线包括:
第一支撑部分,其垂直于所述衬底;
第二支撑部分,其与所述第一支撑部分间隔开且形成为相对于所述衬底倾斜;和
平面部分,其连接所述第一支撑部分与所述第二支撑部分且形成为平面。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述屏蔽线包括:
第一屏蔽线,其横跨所述半导体裸片从所述半导体裸片的一侧形成到另一侧;以及
第二屏蔽线,其形成为垂直于所述第一屏蔽线且横跨所述半导体裸片形成。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述辅助结构包含包括以下各者的辅助线:
凸块结构部分;以及
线部分,其连接到所述凸块结构部分,其中所述屏蔽线以物理方式接触所述凸块结 构部分和所述线部分两者。
7.一种半导体装置,其特征在于,包括:
衬底;
半导体裸片,其邻近于所述衬底安装;
辅助结构,其耦合到所述衬底;以及
导电线,其在第一端处连接到所述衬底的第一部分,且以物理方式接触所述辅助结构来增大所述导电线连接到所述衬底的角度。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于:
所述辅助结构包括在两个相对端处附接到所述衬底的辅助线;
所述导电线包括与所述第一端相对的第二端;
所述第二端附接到所述半导体裸片或所述衬底的第二部分中的一者;
所述辅助线形成为大体上垂直于所述导电线;且
所述角度处于70度到90度的范围中。
9.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于:
所述辅助结构包括具有凸块结构部分和线部分的辅助线;
所述导电线以物理方式接触所述凸块结构部分和所述线部分两者;
所述导电线的第二端附接到所述半导体裸片或所述衬底的第二部分中的一者;且
所述角度处于70度到90度的范围中。
10.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于:
所述辅助结构包括凸块结构部分;且
所述导电线的第二端附接到所述半导体裸片或所述衬底的第二部分中的一者。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾马克科技公司,未经艾马克科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720208944.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种双面扇出系统级封装结构
- 下一篇:电子芯片





