[实用新型]具有增大的附接角度的导电线的半导体装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体装置结构。

背景技术

因为制造为具有各种配置的多种半导体装置和用于交换各种信号的电子装置整合到各种电子装置中，所以众所周知半导体装置和电子装置在半导体装置和电子装置的电操作期间发射电磁干扰。

电磁干扰可从按窄间隔安装于主机板上的半导体装置和电子装置发射，且相邻半导体装置可受到电磁干扰的直接或间接影响。

因此，为了部分地屏蔽半导体装置，可使用线或屏蔽层。然而，在这种情况下，使用线或屏蔽层可能增大半导体装置的大小。

实用新型内容

本实用新型所解决的技术问题为克服制造具有屏蔽线的半导体装置的问题。

本实用新型提供一种半导体装置，其包含横跨半导体裸片形成的屏蔽线和支撑所述屏蔽线的辅助结构，由此减小半导体封装的大小同时屏蔽从所述半导体裸片产生的电磁干扰。

本实用新型的以上和其它目标将在若干实施例的以下描述中进行阐述或从所述以下描述中显而易见。

根据本实用新型的实施例的一方面，提供一种半导体装置，其包含：衬底，在其上安装有至少一个电路装置；半导体裸片，其与所述电路装置间隔开且安装到所述衬底上；屏蔽线，其与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成；及辅助结构，其在所述屏蔽线下支撑所述屏蔽线。在一些实施例中，所述辅助结构包括形成为大体上垂直于所述屏蔽线的辅助线。

根据本实用新型的实施例的另一方面，提供衬底；半导体裸片，其邻近于所述衬底而安装；辅助结构，其连接到所述衬底；及导电线，其在第一端处连接到所述衬底的第一部分，且以物理方式接触所述辅助结构来增大所述导电线连接到所述衬底的角度。

如上文所描述，根据本实用新型的实施例，因为所述半导体装置包含与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成的屏蔽线和在所述屏蔽线下支撑所述屏蔽线的辅助结构，所以可减小所述半导体裸片与所述电路装置之间的距离，且可屏蔽从所述半导体裸片产生的电磁干扰，由此减小根据本实用新型的所述半导体装置的大小。

另外，根据另一实施例，因为所述半导体装置包含电连接所述半导体裸片与所述衬底的导电线和在所述导电线下支撑所述导电线的辅助结构，所以可减小所述半导体装置的大小。

此外，根据另一实施例，所述辅助结构包括邻近于所述导电线设置的凸块结构，以促进具有更陡的倾斜角的所述导电线。在又一实施例中，所述辅助结构包括凸块结构部分和线部分，且所述凸块结构部分和所述线部分两者被用来促进具有甚至更陡的倾斜角的接合线。

根据本实用新型的一方面，提供一种半导体装置，包括：衬底；半导体裸片，其安装到所述衬底；屏蔽线，其与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成；以及辅助结构，其在所述屏蔽线下支撑所述屏蔽线。

在一实施例中，所述衬底上安装有至少一个电路装置；所述半导体裸片与所述电路装置间隔开；所述辅助结构包括辅助线；所述衬底包含在所述半导体裸片的一侧处形成的第一接合垫和在所述半导体裸片的另一侧处形成的第二接合垫；所述屏蔽线的一端连接到所述第一接合垫，且所述屏蔽线的另一端横跨所述半导体裸片连接到所述第二接合垫；且所述辅助线形成为大体上垂直于所述屏蔽线。

在一实施例中，所述辅助结构包括一或多个辅助线且以弓形形成；且所述一或多个辅助线形成为彼此平行或彼此相交。

在一实施例中，所述辅助结构包含辅助线，所述辅助线包括：第一支撑部分，其垂直于所述衬底；第二支撑部分，其与所述第一支撑部分间隔开且形成为相对于所述衬底倾斜；和平面部分，其连接所述第一支撑部分与所述第二支撑部分且形成为平面。

在一实施例中，所述屏蔽线包括：第一屏蔽线，其横跨所述半导体裸片从所述半导体裸片的一侧形成到另一侧；以及第二屏蔽线，其形成为垂直于所述第一屏蔽线且横跨所述半导体裸片形成。

在一实施例中，所述辅助结构包含包括以下各者的辅助线：凸块结构部分；以及线部分，其连接到所述凸块结构部分，其中所述屏蔽线以物理方式接触所述凸块结构部分和所述线部分两者。

根据本实用新型的另一方面，提供一种半导体装置，包括：衬底；半导体裸片，其邻近于所述衬底安装；辅助结构，其耦合到所述衬底；以及导电线，其在第一端处连接到所述衬底的第一部分，且以物理方式接触所述辅助结构来增大所述导电线连接到所述衬底的角度。