[实用新型]改进MOCVD加热器结构和MOCVD反应系统有效
申请号: | 201720083500.5 | 申请日: | 2017-01-22 |
公开(公告)号: | CN206521522U | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | 黎静;陈景升;田青林;张顺 | 申请(专利权)人: | 江苏实为半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46 |
代理公司: | 徐州市淮海专利事务所32205 | 代理人: | 李鹏 |
地址: | 221000 江苏省徐州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种改进MOCVD加热器结构和MOCVD反应系统,包括电极引脚;加热丝,加热丝为钨丝,与电极引脚连接;氮化硼板氮化硼板设于加热丝的下方;支架支架位于加热丝与氮化硼板之间以支撑加热丝;基板基板分为上基板和下基板,上基板位于氮化硼板的下方,下基板位于上基板的下方;连接杆连接杆分为第一连接杆和第二连接杆,第一连接杆一端与氮化硼板连接,另一端与上基板连接,第二连接杆一端与上基板连接,另一端与下基板连接,该改进结构的结构简单易于安装和维护,不易发生变形,绝缘性高,能够避免发生短路,热反射率高,提高加热效率,而且该改进结构能降低50%的钨钼稀有金属的使用,节能环保。 | ||
搜索关键词: | 改进 mocvd 加热器 结构 反应 系统 | ||
【主权项】:
一种改进MOCVD加热器结构,其特征在于,包括:电极引脚(4);加热丝(1),所述加热丝(1)为钨丝,与所述电极引脚(4)连接;氮化硼板(3):所述氮化硼板(3)设于所述加热丝(1)的下方;支架(2):所述支架(2)位于所述加热丝(1)与所述氮化硼板(3)之间以支撑加热丝(1);基板(5):所述基板(5)分为上基板(51)和下基板(52),所述上基板(51)位于氮化硼板(3)的下方,所述下基板(52)位于所述上基板(51)的下方;连接杆(7):所述连接杆(7)分为第一连接杆(71)和第二连接杆(72),所述第一连接杆(71)一端与所述氮化硼板(3)连接,另一端与所述上基板(51)连接,所述第二连接杆(72)一端与所述上基板(51)连接,另一端与所述下基板(52)连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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