[实用新型]一种深紫外探测器

摘要

本实用新型公开了一种深紫外探测器。它包括透明的衬底，所述衬底上生长的成核层，成核层上生长的缓冲层，缓冲层上依次生长的有n型AlGaN层，周期性结构AlN/AlaGa1‑aN阻挡层，周期性结构AlN/AlbGa1‑bN吸收层，AlN限制层，周期性结构AlN/AlcGa1‑cN阻挡层，p型GaN层；所述AlN/AlaGa1‑aN阻挡层中每个周期的AlN厚度、AlN/AlcGa1‑cN阻挡层中每个周期的AlN厚度、AlN/AlbGa1‑bN吸收层中每个周期的AlN厚度为0.4nm‑1.5nm；其中0≤b<a<c<1。本发明外延结构实现了不加滤光片吸收峰值波长在250nm—280nm的深紫外探测。

主权项

一种深紫外探测器，它包括透明的衬底，所述衬底上生长的成核层，成核层上生长的缓冲层，其特征在于缓冲层上依次生长的有n型AlGaN层，周期性结构AlN/AlaGa1‑aN阻挡层，周期性结构AlN/AlbGa1‑bN吸收层，AlN限制层，周期性结构AlN/AlcGa1‑cN阻挡层，p型GaN层；所述AlN/AlaGa1‑aN阻挡层中每个周期的AlN厚度、AlN/AlcGa1‑cN阻挡层中每个周期的AlN厚度、AlN/AlbGa1‑bN吸收层中每个周期的AlN厚度为0.4nm‑1.5nm；其中0≤b<a<c<1；p型GaN层上连接p型欧姆接触电极合金，n型AlGaN层上连接n型欧姆接触电极合金。