[实用新型]一种深紫外探测器有效
| 申请号： | 201720051168.4 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN206471340U | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 孙卿;吕志勤;罗绍军;杨福华;汤磊 | 申请（专利权）人： | 中蕊（武汉）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/105 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司42104 | 代理人： | 俞鸿 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖新*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 探测器 | ||
1.一种深紫外探测器，它包括透明的衬底，所述衬底上生长的成核层，成核层上生长的缓冲层，其特征在于缓冲层上依次生长的有n型AlGaN层，周期性结构AlN/AlaGa1-aN阻挡层，周期性结构AlN/AlbGa1-bN吸收层，AlN限制层，周期性结构AlN/AlcGa1-cN阻挡层，p型GaN层；所述AlN/AlaGa1-aN阻挡层中每个周期的AlN厚度、AlN/AlcGa1-cN阻挡层中每个周期的AlN厚度、AlN/AlbGa1-bN吸收层中每个周期的AlN厚度为0.4nm-1.5nm；其中0≤b<a<c<1；p型GaN层上连接p型欧姆接触电极合金，n型AlGaN层上连接n型欧姆接触电极合金。
2.如权利要求1所述一种深紫外探测器，其特征在于AlN/AlaGa1-aN阻挡层首层为垒材料AlN层，其次为阱材料AlaGa1-aN层，接着重复周期垒材料AlN层、阱材料AlaGa1-aN层，最后一层为垒材料AlN层；总厚度为50-500nm。
3.如权利要求1所述一种深紫外探测器，其特征在于吸收层首层为阱材料AlbGa1-bN层，其次为垒材料AlN层，接着为重复周期阱材料AlbGa1-bN层、垒材料AlN层，最后一层为阱材料AlbGa1-bN层；总厚度为3-150nm。
4.如权利要求1所述一种深紫外探测器，其特征在于AlN/AlcGa1-cN阻挡层首层为阱材料AlcGa1-cN，其次为垒材料AlN层，接着为重复周期阱材料AlcGa1-cN层、垒材料AlN层，最后一层为阱材料AlcGa1-cN层；总厚度为10-200nm。
5.如权利要求1所述一种深紫外探测器，其特征在于所述a的范围为：0≤a≤0.8，b的范围为：0≤b≤0.5，c的范围为：0≤c≤0.8。
6.如权利要求1所述一种深紫外探测器，其特征在于缓冲层为非故意掺杂u型AlGaN，缓冲层的Al组分不大于5％，厚度为2-6μm。
7.如权利要求1所述深紫外探测器，其特征在于.AlN限制层的厚度为1-3nm。
8.如权利要求1-4任一所述一种深紫外探测器，其特征在于AlN/AlaGa1-aN阻挡层和AlN/AlcGa1-cN阻挡层的禁带宽度大于AlN/AlbGa1-bN吸收层的禁带宽度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
