[实用新型]一种III‑V族环栅场效应晶体管

摘要

本实用新型公开一种III‑V族环栅场效应晶体管，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体源漏层、界面控制层侧墙、第二栅介质层、第二栅金属层和源漏金属层组成。采用III‑V族半导体材料作为沟道材料，用埋沟道结构加入界面控制层可以有效减少沟道散射，提高沟道载流子迁移率高；采用环栅结构可以有效提高MOSFET器件的栅控能力和电流驱动能力，能够有效抑制器件的短沟道效应和DIBL效应；环栅场效应晶体管可以集成在硅衬底上，可以与其它硅基CMOS集成器件实现单片集成；提供的III‑V族环栅场效应晶体管能够满足III‑V族CMOS在数字电路中的应用。

主权项

一种III‑V族环栅场效应晶体管，包括晶体管本体，其特征在于：所述晶体管本体由单晶衬底(101)、隔离层(102)、键合金属层(103)、第一栅金属层(104a)、第一栅介质层(105a)、第一界面控制层(106a)、III‑V族半导体沟道层(107)、第二界面控制层(106b)、III‑V族半导体源漏层(108)、界面控制层侧墙(110)、第二栅介质层(105b)、第二栅金属层(104b)和源漏金属层(109)组成；单晶衬底(101)、隔离层(102)、键合金属层(103)、第一栅金属层(104a)、第一栅介质层(105a)、第一界面控制层(106a)、III‑V族半导体沟道层(107)、第二界面控制层(106b)和III‑V族半导体源漏层(108)从下至上依次叠放，形成键合体；键合体上部的中间部分刻蚀出剖面呈凹字形的凹槽，凹槽的上部即沟道区域刻蚀至键合体的第二界面控制层(106b)之上，凹槽的侧部即源漏区域刻蚀至键合体的第一栅介质层(105a)之上；界面控制层侧墙(110)设置在凹槽的侧壁两侧；第二栅介质层(105b)覆盖在凹槽外侧的中间部分，第二栅金属层(104b)覆盖在第二栅介质层(105b)上；源漏金属层(109)覆盖在III‑V族半导体源漏层(108)上。