[实用新型]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201720023681.2 | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN206471346U | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 蓝永凌;张家宏;林兓兓 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管，其至少包括衬底，及依次沉积于所述衬底上的缓冲层、N型层、量子阱层、电子阻挡层和P型层，所述多量子阱层包括若干个周期性交替层叠的势阱层和势垒层，其特征在于最后一个周期的多量阱子层由InGaN势阱层以及位于其上的GaN/AlN势垒层组成。本实用新型利用InGaN、GaN、AlN材料晶格常数的差异，通过能带的形变形成电子局限作用，继而来防止N型层中电子的过迁移现象，相对提升P型层空穴浓度及迁移速率，提升电子与空穴在多量子阱层中的有效复合辐射效率，进而提升发光二极管的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，至少包括：衬底，及依次沉积于所述衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层，所述多量子阱层包括若干个周期性交替层叠的势阱层和势垒层，其特征在于：最后一个周期的多量阱子层由InGaN势阱层以及位于所述InGaN势阱层之上的GaN/AlN势垒层组成，所述GaN/AlN势垒层包括GaN单层和AlN单层。
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