[实用新型]一种发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，至少包括：衬底，及依次沉积于所述衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层，所述多量子阱层包括若干个周期性交替层叠的势阱层和势垒层，其特征在于：最后一个周期的多量阱子层由InGaN势阱层以及位于所述InGaN势阱层之上的GaN/AlN势垒层组成，所述GaN/AlN势垒层包括GaN单层和AlN单层。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：在所述GaN/AlN势垒层中，所述AlN单层位于所述GaN单层上。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述GaN/AlN势垒层为未掺杂层或者N型掺杂层。

4.根据权利要求3所述的一种发光二极管，其特征在于：所述GaN单层为未掺杂层或者N型掺杂层，所述AlN单层为未掺杂层。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述电子阻挡层与所述多量子阱层之间设置有一低温氮化镓层。

6.根据权利要求5所述的一种发光二极管，其特征在于：所述低温氮化镓层为P型掺杂层。

7.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述AlN单层的厚度≤50Å。

8.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述GaN单层的厚度≤100Å。