[发明专利]采用氧化铟锡作为插入层的反射镜及其制备方法在审
| 申请号： | 201711485762.5 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108198925A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 刘喆;梁冬冬;薛斌;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种采用氧化铟锡作为插入层后蒸镀金属的反射镜的制备方法，其包括以下步骤：步骤1、在外延片上蒸镀一层氧化铟锡ITO，并对蒸镀上氧化铟锡的外延片进行退火处理；步骤2、将退火后附有氧化铟锡的外延片进行化学腐蚀的处理；步骤3、化学腐蚀之后，对外延片的表面进行等离子体轰击处理；步骤4、经过表面处理之后进行金属蒸镀形成反射镜。根据本发明的制备方法制备的反射镜的结构自下而上包括：外延片，ITO层，金属层。本发明可以获得低阻抗、高热稳定性、高反射率的欧姆接触，达到提高芯片出光效率的效果。本发明具有制备工艺条件易控制，步骤操作简单，成本低、易于大规模生产等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铟锡 反射镜 外延片 制备 蒸镀 化学腐蚀 插入层 退火 等离子体轰击 制备工艺条件 高热稳定性 出光效率 高反射率 金属蒸镀 欧姆接触 退火处理 低阻抗 金属层 延片 芯片 金属 | ||
【主权项】：
1.一种采用氧化铟锡作为插入层后蒸镀金属的反射镜的制备方法，其包括以下步骤：步骤1、在外延片上蒸镀一层氧化铟锡ITO，并对蒸镀上氧化铟锡的外延片进行退火处理；步骤2、将退火后附有氧化铟锡的外延片进行化学腐蚀的处理；步骤3、化学腐蚀之后，对外延片的表面进行等离子体轰击处理；步骤4、经过表面处理之后进行金属蒸镀形成反射镜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711485762.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
