[发明专利]采用氧化铟锡作为插入层的反射镜及其制备方法

说明书

本发明提供了一种采用氧化铟锡作为插入层后蒸镀金属的反射镜的制备方法，其包括以下步骤：步骤1、在外延片上蒸镀一层氧化铟锡ITO，并对蒸镀上氧化铟锡的外延片进行退火处理；步骤2、将退火后附有氧化铟锡的外延片进行化学腐蚀的处理；步骤3、化学腐蚀之后，对外延片的表面进行等离子体轰击处理；步骤4、经过表面处理之后进行金属蒸镀形成反射镜。根据本发明的制备方法制备的反射镜的结构自下而上包括：外延片，ITO层，金属层。本发明可以获得低阻抗、高热稳定性、高反射率的欧姆接触，达到提高芯片出光效率的效果。本发明具有制备工艺条件易控制，步骤操作简单，成本低、易于大规模生产等优点。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别是指一种采用氧化铟锡(ITO)作为插入层后蒸镀金属的反射镜及其制备方法。

背景技术

发光二极管(LED)p-GaN的掺杂浓度较低，功函数会非常的高，导致很难有合适的金属跟它的功函数相匹配，因此很难形成很好的欧姆接触。为了解决这一问题，一方面，我们可以选择功函数更好的金属，减小金属与p-GaN的功函数差，从而获得相对更好的欧姆接触；另一方面，我们也在探索新的接触材料，研究新的表面处理的工艺，以期望获得低阻抗、高热稳定性、高反射率的p型欧姆接触。常用的反射镜金属体系有Ag、Al、Au等金属，而在这三种金属之中，金属Ag作为反射镜在440nm至500nm的波段有更高的反射率，而且Ag基反射镜与湿法腐蚀的工艺相兼容，因此常常被用来做p-GaN的接触金属。

发明内容

(一)要解决的技术问题

鉴于上述技术问题，本发明提供了一种采用氧化铟锡(ITO)作为插入层后蒸镀金属的反射镜及其制备方法。ITO插入层的存在能够很大程度上提高金属与外延片的欧姆接触特性，并且提高反射率。

(二)技术方案

根据本发明的一个方面，提供了一种采用氧化铟锡作为插入层后蒸镀金属的反射镜的制备方法，其包括以下步骤：

步骤1、在外延片上蒸镀一层氧化铟锡ITO，并对蒸镀上氧化铟锡的外延片进行退火处理；

步骤2、将退火后附有氧化铟锡的外延片进行化学腐蚀的处理；

步骤3、化学腐蚀之后，对外延片的表面进行等离子体轰击处理；

步骤4、经过表面处理之后进行金属蒸镀形成反射镜。

根据本发明的另一个方面，提供了一种反射镜，其结构自下而上包括：外延片，ITO层，金属层。

(三)有益效果

从上述技术方案可以看出，本发明采用氧化铟锡(ITO)作为插入层后蒸镀金属的反射镜及其制备方法至少具有以下有益效果其中之一：

(1)本发明可以获得低阻抗、高热稳定性、高反射率的欧姆接触，达到提高芯片出光效率的效果；

(2)本发明制备的工艺条件易控制，步骤操作简单，成本低。

附图说明

图1为本发明实施例反射镜制备方法的流程图。

图2为本发明实施例经过BOE腐蚀后的氧化铟锡的表面形貌。

图3为本发明实施例蓝宝石衬底上生长外延层蒸镀Ag反射镜的结构剖面图。

图4为采用了ITO插入层(a)和不含ITO插入层(b)的样品表面圆环测试曲线。

图5为本发明实施例反射镜的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。