[发明专利]采用氧化铟锡作为插入层的反射镜及其制备方法

权利要求书

1.一种采用氧化铟锡作为插入层后蒸镀金属的反射镜的制备方法，其包括以下步骤：

步骤1、在外延片上蒸镀一层氧化铟锡ITO，并对蒸镀上氧化铟锡的外延片进行退火处理；

步骤2、将退火后附有氧化铟锡的外延片进行化学腐蚀的处理；

步骤3、化学腐蚀之后，对外延片的表面进行等离子体轰击处理；

步骤4、经过表面处理之后进行金属蒸镀形成反射镜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤1中，蒸镀氧化铟锡时采用电子束蒸发的方法，反应条件包括：温度为150℃至300℃，压强为1*10^-5Torr至1*10^-8Torr。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，生成氧化铟锡的厚度为500A至2000A之间。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤1中，进行退火时的退火条件为：在流动氮气的情况下，温度300℃至800℃，时间20min至40min。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤2中，进行化学腐蚀的具体步骤为：将外延片放置在BOE溶液中浸泡30s至90s后快速取出，用去离子水冲洗干净。

6.根据权利要求1或5所述的制备方法，其中，通过BOE溶液腐蚀外延片表面的ITO层，部分去除ITO，在外延片表面形成了岛状的ITO残余，经过BOE溶液腐蚀后的氧化铟锡表面的起伏在10nm至40nm之间。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤3中，对外延片的表面进行等离子体轰击处理的条件包括：能量为200W至400W，时间为2min至4min。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤4中，蒸镀的金属包括：银Ag、铝Al、或金Au，蒸镀金属时采用电子束蒸镀的方法，反应条件包括：压强为1*10^-5Torr至1*10^-8Torr，温度为100℃至400℃。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述外延片的结构包括：衬底、n型氮化物、多层氮化物量子阱、p型氮化物。

10.一种根据权利要求1-9任一项所述的制备方法制备的反射镜，其结构自下而上包括：外延片，ITO层，金属层。