[发明专利]阵列基板及其制造方法在审
申请号: | 201711471217.0 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108206182A | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 姜春生 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种阵列基板及其制造方法。所述方法包括:在基板上形成多晶硅图案、绝缘图案、导电图案及介电层;形成覆盖介电层的导电层;图案化处理导电层,去除第一区域的导电图案上方的导电层;对第二区域的导电图案上方的导电层进行离子注入处理;形成覆盖导电层的钝化层。基于此,本发明能够简化制造工艺,提高生产效率,降低成本,并减少漏电。 | ||
搜索关键词: | 导电层 导电图案 阵列基板 介电层 简化制造工艺 多晶硅图案 覆盖导电层 图案化处理 漏电 第二区域 第一区域 绝缘图案 生产效率 钝化层 基板 去除 离子 制造 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:在基板上形成多晶硅图案、绝缘图案、导电图案及介电层,基板上方划分有沿平行基板方向间隔设置的第一区域和第二区域,第一区域依次层叠多晶硅图案、绝缘图案和导电图案,第二区域依次层叠绝缘图案和导电图案,介电层形成有暴露多晶硅图案的掺杂区域的通孔;形成覆盖介电层且通过所述通孔与所述掺杂区域接触的导电层;图案化处理所述导电层,去除第一区域的导电图案上方的导电层;对第二区域的导电图案上方的导电层进行离子注入处理;形成覆盖经过所述图案化处理和离子注入处理的导电层的钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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