[发明专利]阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上形成多晶硅图案、绝缘图案、导电图案及介电层，基板上方划分有沿平行基板方向间隔设置的第一区域和第二区域，第一区域依次层叠多晶硅图案、绝缘图案和导电图案，第二区域依次层叠绝缘图案和导电图案，介电层形成有暴露多晶硅图案的掺杂区域的通孔；

形成覆盖介电层且通过所述通孔与所述掺杂区域接触的导电层；

图案化处理所述导电层，去除第一区域的导电图案上方的导电层；

对第二区域的导电图案上方的导电层进行离子注入处理；

形成覆盖经过所述图案化处理和离子注入处理的导电层的钝化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化处理所述导电层，去除第一区域的导电图案上方的导电层，包括：

形成覆盖所述导电层的光阻层；

采用半色调Half-tone光罩对所述光阻层进行曝光处理，去除位于所述第一区域的导电图案上方的光阻层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对第二区域的导电图案上方的导电层进行离子注入处理之前，所述方法还包括：

去除未被经过曝光处理后的光阻层遮盖的导电层；

对经过曝光处理后的光阻层进行灰化处理，去除位于所述第二区域的导电图案上方的光阻层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电层为石墨烯薄膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对第二区域的导电图案上方的导电层进行离子注入处理，包括：

对位于第二区域的导电图案上方的导电层注入氮离子。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电层为金属氧化物薄膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对第二区域的导电图案上方的导电层进行离子注入处理，包括：

对位于第二区域的导电图案上方的导电层注入镓离子。

8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基板；

位于所述基板上的多晶硅图案、绝缘图案、导电图案及介电层，基板上方划分有沿平行基板方向间隔设置的第一区域和第二区域，第一区域依次层叠多晶硅图案、绝缘图案和导电图案，第二区域依次层叠绝缘图案和导电图案，介电层形成有暴露多晶硅图案的掺杂区域的通孔；

导电层，覆盖介电层且通过所述通孔与所述掺杂区域接触，所述导电层暴露所述第一区域的导电图案，且位于所述第二区域的导电图案上方的导电层经过离子注入处理；

钝化层，覆盖所述导电层。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层为石墨烯薄膜，位于所述第二区域的导电层注入有氮离子。

10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层为金属氧化物薄膜，位于所述第二区域的导电层注入有镓离子。