[发明专利]一种高品质碳化硅单晶的籽晶的制备方法在审
| 申请号： | 201711465088.4 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108118389A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 路亚娟;杨昆;牛晓龙;刘新辉;郑清超 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 刘伍堂 |
| 地址： | 071051 河北省保定市北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明具体涉及一种高品质碳化硅单晶的籽晶的制备方法,通过在籽晶背部表面制备致密高纯石墨超微细粉胶膜的方法，抑制了籽晶背向蒸发，从而消除了晶体内的六方空洞、及微管缺陷，对于高品质氮化硅的生产具有重大的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 高品质 制备 碳化硅单晶 致密 背部表面 超微细粉 高纯石墨 氮化硅 胶膜 微管 蒸发 空洞 生产 | ||
【主权项】：
一种高品质碳化硅单晶的籽晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）使用高纯石墨超微细粉作为溶质，表面活性剂为溶剂，改性酚醛树脂为粘结剂按一定配比混合，制备高纯石墨超微细粉胶；2）将所述高纯石墨超微细粉胶进行脱泡处理；3）将脱泡处理后的所述高纯石墨超微细粉胶喷涂于所述籽晶的非生长面，并在真空加压条件下预烧结；4）将预烧结的所述籽晶在真空或惰性气体的条件下加热，使所述高纯石墨超微细粉胶碳化。
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