[发明专利]一种高品质碳化硅单晶的籽晶的制备方法在审
| 申请号： | 201711465088.4 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108118389A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 路亚娟;杨昆;牛晓龙;刘新辉;郑清超 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 刘伍堂 |
| 地址： | 071051 河北省保定市北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 籽晶 高品质 制备 碳化硅单晶 致密 背部表面 超微细粉 高纯石墨 氮化硅 胶膜 微管 蒸发 空洞 生产 | ||
1.一种高品质碳化硅单晶的籽晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）使用高纯石墨超微细粉作为溶质，表面活性剂为溶剂，改性酚醛树脂为粘结剂按一定配比混合，制备高纯石墨超微细粉胶；
2）将所述高纯石墨超微细粉胶进行脱泡处理；
3）将脱泡处理后的所述高纯石墨超微细粉胶喷涂于所述籽晶的非生长面，并在真空加压条件下预烧结；
4）将预烧结的所述籽晶在真空或惰性气体的条件下加热，使所述高纯石墨超微细粉胶碳化。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纯石墨超微细粉的纯度为99.99%，平均粒径D50=0.1~10μm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1）中，所述高纯石墨超微细粉胶中的所述高纯石墨超细粉的含量为2-10%，所述表面活性剂的含量为50-80%，所述改性酚醛树脂的含量为10-35%。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脱泡处理的时间为5~10h。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3）、步骤4）中的所述真空条件为小于0.1mbar。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3）中的预烧结的温度为50~250℃，时间为1~5h，籽晶非粘接表面施加压力为不小于2bar。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4）中的加热温度为800~1200℃，时间为1~10h。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述籽晶由碳化硅构成，所述高品质碳化硅单晶的尺寸大于两寸，为半绝缘、n型或p型掺杂的碳化硅晶体。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面活性剂为常规表面活性剂。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3）中，将脱泡处理后的所述高纯石墨超微细粉胶喷均匀涂于所述籽晶的非生长面，使所述籽晶的非生长面形成厚度均匀，交联致密的高纯石墨超微细粉胶膜。
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