[发明专利]两片式同步整流二极管有效
| 申请号： | 201711460838.9 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108281415B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李明芬;吴南;吕敏;李联勋;马东平;王鹏;徐明星 | 申请（专利权）人： | 山东芯诺电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/03 | 分类号： | H01L25/03;H01L23/367;H01L23/495 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 周仕芳;卢登涛 |
| 地址： | 272100 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了两片式同步整流二极管，包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、内置电容，所述第二框架有两个外置引脚，控制IC芯片固定在第二框架上，内置电容的外接线端连接第二框架；第一框架设有一个外置引脚，MOSFET芯片固定在第一框架上；所述MOSFET芯片与控制IC芯片之间、控制IC芯片与内置电容内接线端之间、MOSFET芯片与第二框架之间、控制IC芯片与第一框架之间通过键合线连接。两片式同步整流二极管，优化了结构，整合PAD可利用面积，排除了易造成不良的结构缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 两片式 同步 整流二极管 | ||
【主权项】：
1.两片式同步整流二极管，其特征在于，包括第一框架(1)、MOSFET芯片(2)、控制IC芯片(3)、第二框架(4)、内置电容(5)，所述第二框架(4)有两个外置引脚，控制IC芯片(3)固定在第二框架(4)上，内置电容(5)的外接线端连接第二框架(4)；第一框架(1)设有一个外置引脚，MOSFET芯片(2)固定在第一框架(1)上；所述MOSFET芯片(2)与控制IC芯片(3)之间、控制IC芯片(3)与内置电容(5)内接线端之间、MOSFET芯片(2)与第二框架(4)之间、控制IC芯片(3)与第一框架(1)之间通过键合线连接。
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