[发明专利]两片式同步整流二极管

权利要求书

1.两片式同步整流二极管，其特征在于，包括第一框架(1)、MOSFET芯片(2)、控制IC芯片(3)、第二框架(4)、内置电容(5)，所述第二框架(4)有两个外置引脚，控制IC芯片(3)固定在第二框架(4)上，内置电容(5)的外接线端连接第二框架(4)；

第一框架(1)设有一个外置引脚，MOSFET芯片(2)固定在第一框架(1)上；

所述MOSFET芯片(2)与控制IC芯片(3)之间、控制IC芯片(3)与内置电容(5)内接线端之间、MOSFET芯片(2)与第二框架(4)之间、控制IC芯片(3)与第一框架(1)之间通过键合线连接。

2.根据权利要求1所述的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述第二框架(4)上设有开放式缺口，内置电容(5)的外接线端连接第二框架(4)，内接线端位于开放式缺口处。

3.根据权利要求1所述的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述第二框架(4)上设有封闭式缺口，内置电容(5)的外接线端连接第二框架(4)上，内接线端位于封闭式缺口处。

4.根据权利要求1所述的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述内置电容(5)的外接线端连接第二框架(4)上，内接线端与第二框架(4)之间设有绝缘导热涂层。

5.根据权利要求2至4任一项所述的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述内置电容(5)为MLCC电容。

6.根据权利要求1所述的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述内置电容(5)为立式电容，立式电容固定在第二框架(4)上，立式电容下部为外接线端，上部为内接线端。

7.根据权利要求6所述的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述立式电容(5)包括电容基底(53)，所述的电容基底(53)包括上端面(52)和下端面(55)，上端面(52)和下端面(55)的内侧均设有内电极(56)，内电极(56)包括上电极和下电极，上电极和下电极呈立式交错布置，且上电极一端连接上端面(52)，另一端不接触下端面(55)，下电极连接下端面(55)，另一端不接触上端面(52)，上端面(52)和下端面外部设有金属层形成外部端电极(57)，端电极(57)平行于安装面且与内电极(56)连接。

8.根据权利要求7所述的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述的电容基底(53)的上端面(52)和下端面(55)内侧蚀刻沟槽(51)，沟槽(51)内填充金属形成内电极(6)。

9.根据权利要求7所述的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述的内电极(56)立式交错布置的空隙中设有介电层(54)，介电层(54)和内电极(56)之间形成电容效应。

10.根据权利要求1所述的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述第一框架(1)、MOSFET芯片(2)、控制IC芯片(3)、第二框架(4)、内置电容(5)通过键合线焊接成型后封装于塑封体内，构成一个整体的同步整流二极管。