[发明专利]两片式同步整流二极管

说明书

本发明公开了两片式同步整流二极管，包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、内置电容，所述第二框架有两个外置引脚，控制IC芯片固定在第二框架上，内置电容的外接线端连接第二框架；第一框架设有一个外置引脚，MOSFET芯片固定在第一框架上；所述MOSFET芯片与控制IC芯片之间、控制IC芯片与内置电容内接线端之间、MOSFET芯片与第二框架之间、控制IC芯片与第一框架之间通过键合线连接。两片式同步整流二极管，优化了结构，整合PAD可利用面积，排除了易造成不良的结构缺陷。

技术领域

本发明涉及芯片生产领域，尤其是一种两片式同步整流二极管。

背景技术

肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管。现有的整流元件肖特基二极管存在整流损耗大转换效率低的问题。

同步整流二极管是由控制IC、功率MOSFET及其附属电路组成，从而实现低损耗整流的新技术。现有同步整流结构元件拙而不巧，尺寸较大，散热困难、引脚纤细反复，对安装使用造成一定的困扰。

发明内容

为了解决现有技术的不足，本发明提出了两片式同步整流二极管，优化了结构，整合PAD可利用面积，排除了易造成不良的结构缺陷。

本发明采用如下技术方案：

两片式同步整流二极管，包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、内置电容，所述第二框架有两个外置引脚，控制IC芯片固定在第二框架上，内置电容的外接线端连接第二框架；第一框架设有一个外置引脚，MOSFET芯片固定在第一框架上；所述MOSFET芯片与控制IC芯片之间、控制IC芯片与内置电容内接线端之间、MOSFET芯片与第二框架之间、控制IC芯片与第一框架之间通过键合线连接。

优选地，所述第二框架上设有开放式缺口，内置电容的外接线端连接第二框架，内接线端位于开放式缺口处。

优选地，所述第二框架上设有封闭式缺口，内置电容的外接线端连接第二框架上，内接线端位于封闭式缺口处。

优选地，所述内置电容的外接线端连接第二框架上，内接线端与第二框架之间设有绝缘导热涂层。

进一步地，所述内置电容为MLCC电容。

优选地，所述内置电容为立式电容，立式电容固定在第二框架上，立式电容下部为外接线端，上部为内接线端。

进一步地，所述立式电容包括电容基底，所述的电容基底包括上端面和下端面，上端面和下端面的内侧均设有内电极，内电极包括上电极和下电极，上电极和下电极呈立式交错布置，且上电极一端连接上端面，另一端不接触下端面，下电极连接下端面，另一端不接触上端面，上端面和下端面外部设有金属层形成外部端电极，端电极平行于安装面且与内电极连接。

进一步地，所述的电容基底的上端面和下端面内侧蚀刻沟槽，沟槽内填充金属形成内电极。

更进一步地，所述的内电极立式交错布置的空隙中设有介电层，介电层和内电极之间形成电容效应。

所述第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、内置电容通过键合线焊接成型后封装于塑封体内，构成一个整体的同步整流二极管。

采用如上技术方案取得的有益技术效果为：

两片式同步整流二极管顺应半导体整流器件向轻薄化、小型化、表面贴装的发展趋势，本发明研发的紧凑型同步整流结构及其制作方法，通过元件集成、优化结构，排除易造成不良的结构缺陷等手段，达到缩小元件尺寸，简化安装工艺，提高散热性之目的，因此该同步整流结构具有极大的优越性。