[发明专利]一种QLED器件有效
| 申请号： | 201711460056.5 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109980105B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 张珈铭;曹蔚然 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种QLED器件，所述QLED器件包括发光层，其在，所述发光层由蓝光量子点材料层A和黄光量子点材料层B按照[ABA]n的方式层叠形成，n为1‑3，其中，所述蓝光量子点材料与所述黄光量子点材料的价带差为0，所述蓝光量子点材料导带能级比所述黄光量子点材料的导带能级高至少0.5eV。通过在发光层中引入单带差超晶格结构提高量子点的复合效率和器件的发光纯度，避免量子点层电荷的累积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 qled 器件 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，所述QLED器件包括发光层，其特征在于，所述发光层由蓝光量子点材料层A和黄光量子点材料层B按照[ABA]n的方式层叠形成，n为1‑3，其中，所述蓝光量子点材料与所述黄光量子点材料的价带差为0，所述蓝光量子点材料导带能级比所述黄光量子点材料的导带能级高至少0.5eV。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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