[发明专利]一种QLED器件

权利要求书

1.一种QLED器件，所述QLED器件包括发光层，其特征在于，所述发光层由蓝光量子点材料层A和黄光量子点材料层B按照[ABA]n的方式层叠形成，n为1-3，其中，所述蓝光量子点材料与所述黄光量子点材料的价带差为0，所述蓝光量子点材料导带能级比所述黄光量子点材料的导带能级高至少0.5eV。

2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，n为2。

3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述蓝光量子点材料的发光光谱波峰为420nm~520nm；和/或所述黄光量子点材料的发光光谱波峰为520nm~630nm。

4.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述蓝光量子点材料和所述黄光量子点材料独立地选自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、 II-IV-VI族化合物和IV族单质中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述蓝光量子点材料选自ZnS或ZnSe；和/或所述黄光量子点材料选自CdSe或CdS。

6.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述发光层的总厚度为12-165nm。

7.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，单个[ABA]复合层结构的厚度为12-55nm。

8.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，蓝光量子点材料层A的厚度为1-5nm；和/或所述黄光量子点材料层B的厚度为10-25nm。

9.根据权利要求1-8任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括阴极和阳极，以及设置在所述阴极和所述阳极之间的所述发光层，其中，在所述阴极和所述发光层之间还设置有电子功能层。

10.根据权利要求1-8任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括阴极和阳极，以及设置在所述阴极和所述阳极之间的所述发光层，其中，在所述阳极和所述发光层之间还设置有空穴功能层。