[发明专利]一种QLED器件

说明书

本发明提供一种QLED器件，所述QLED器件包括发光层，其在，所述发光层由蓝光量子点材料层A和黄光量子点材料层B按照[ABA]n的方式层叠形成，n为1‑3，其中，所述蓝光量子点材料与所述黄光量子点材料的价带差为0，所述蓝光量子点材料导带能级比所述黄光量子点材料的导带能级高至少0.5eV。通过在发光层中引入单带差超晶格结构提高量子点的复合效率和器件的发光纯度，避免量子点层电荷的累积。

技术领域

本发明涉及QLED器件技术领域，尤其涉及一种QLED器件。

背景技术

胶体量子点因其荧光效率高、单色性好，发光波长可调控和稳定性好而在显示器件领域有着可观的应用前景。基于量子点的发光二极管（量子点发光二极管，Quantum dotlight-emitting diode,QLED）具有更好的色彩饱和度、能效色温以及寿命长等优点，有望成为下一代固体照明和平板显示的主流技术。

白光量子点发光二极管器件报导的比较少，主要结构一种是采用三基色量子点发光，即选用红、绿、蓝量子点作为三基色混合发光为白色；第二种采用蓝色荧光粉作为基底，结合黄色量子点发光，与蓝色荧光粉激发共同作用产生白光。而目前白光量子点发光二极管器件使用的电子传输层材料的电子注入能力普遍强于空穴传输层材料的空穴注入能力，导致过量的电子注入引起器件功能层如空穴传输层的自发光，从而影响量子点发光器件的发光纯度和复合效率。另外，如果过量注入的电子在量子点发光层中输运受阻，会使得电荷在量子点发光层累积，严重影响量子点的发光特性。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种QLED器件及其制备方法，通过在发光层中引入单带差超晶格结构，不仅可以将器件注入的过多电子限制在量子点发光层中，避免过量电子注入空穴功能层从而提高量子点的复合效率和器件的发光纯度，而且对注入量子点发光层中的电子而言，其输运虽然相对受限，但在单带差超晶格结构中仍可以通过共振隧穿效应输运，并与不受输运限制的空穴及时复合形成两种以上的发光复合形成白光，避免量子点层电荷的累积。

本发明的技术方案如下：

一种QLED器件，所述QLED器件包括发光层，其中，所述发光层由蓝光量子点材料层A和黄光量子点材料层B按照[ABA]n的方式层叠形成，n为1-3，其中，所述蓝光量子点材料与所述黄光量子点材料的价带差为0，所述蓝光量子点材料导带能级比所述黄光量子点材料的导带能级高至少0.5eV。

本发明提供的量子点发光器件，其中，所述发光层由蓝光量子点材料层A和黄光量子点材料层B按照[ABA]n叠层方式形成如附图1和附图2所示的单带差超晶格结构。所述单带差超晶格结构中两种材料的价带差为0，此时空穴在发光层中的输运不受势垒的散射，可及时与电子复合发光，避免电荷的累积。所述单带差超晶格结构中蓝色发光量子点材料的导带能级比黄色发光量子点材料的导带能级高至少0.5eV，以保证发光层对电子输运的束缚作用。组成的所述单带差超晶格结构可产生两种以上的发光，利用其在可见光范围内所发出的蓝色发光和黄色发光复合形成白光。

附图说明

图1为本发明的一种QLED器件较佳实施例的结构示意图。

图2为本发明的一种QLED器件另一较佳实施例的结构示意图。

具体实施方式

本发明提供一种QLED器件及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。