[发明专利]碳化硅晶圆湿法腐蚀方法有效
| 申请号： | 201711444142.7 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109979798B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 朱家从;甘新慧;蒋正勇;张伟民;杨万青;齐从明 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 易皎鹤 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，该湿法腐蚀方法包括：获取碳化硅晶圆，所述碳化硅晶圆的正面设置有待腐蚀层，所述碳化硅晶圆的背面设置有与所述碳化硅晶圆欧姆接触的金属材料；在设置于所述碳化硅晶圆背面的金属材料表面覆盖耐腐蚀的保护膜，所述耐腐蚀的保护膜用于在湿法腐蚀操作过程中保护所述金属材料；对设置于所述碳化硅晶圆正面的待腐蚀层进行湿法腐蚀操作。通过在与碳化硅晶圆欧姆接触的金属材料表面覆盖耐腐蚀的保护膜，可以在湿法腐蚀操作过程中保护该金属材料，使得该金属材料在湿法腐蚀过程不被破坏，从而使得腐蚀操作更便捷，并且覆盖于金属材料表面的保护膜不会对机械手臂造成污染。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 湿法 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，其特征在于，包括：获取碳化硅晶圆，所述碳化硅晶圆包括正面和与所述正面相对设置的背面，所述碳化硅晶圆的正面设置有待腐蚀层，所述碳化硅晶圆的背面设置有与所述碳化硅晶圆欧姆接触的金属材料；在设置于所述碳化硅晶圆背面的金属材料表面覆盖耐腐蚀的保护膜，所述耐腐蚀的保护膜用于在湿法腐蚀操作过程中保护所述金属材料；对设置于所述碳化硅晶圆正面的待腐蚀层进行湿法腐蚀操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
