[发明专利]碳化硅晶圆湿法腐蚀方法

权利要求书

1.一种碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，其特征在于，包括：

获取碳化硅晶圆，所述碳化硅晶圆包括正面和与所述正面相对设置的背面，所述碳化硅晶圆的正面设置有待腐蚀层，所述碳化硅晶圆的背面设置有与所述碳化硅晶圆欧姆接触的金属材料；

在设置于所述碳化硅晶圆背面的金属材料表面覆盖耐高温及耐腐蚀的保护膜；其中，

所述耐高温及耐腐蚀的保护膜用于在湿法腐蚀操作过程中保护所述金属材料，所述耐高温及耐腐蚀的保护膜的基材为聚萘二甲酸乙二醇酯，所述高温为小于等于250摄氏度；

在设置于所述碳化硅晶圆背面的所述金属材料表面覆盖耐高温及耐腐蚀的保护膜之后，对所述碳化硅晶圆进行光刻操作；

对设置于所述碳化硅晶圆正面的待腐蚀层进行湿法腐蚀操作；其中，

所述对设置于所述碳化硅晶圆正面的待腐蚀层进行湿法腐蚀操作的步骤，包括：

在预设腐蚀温度下，利用腐蚀溶液对所述碳化硅晶圆的待腐蚀层进行预设时长的湿法腐蚀操作；其中，

所述预设腐蚀温度为10摄氏度至70摄氏度；所述腐蚀溶液为由氢氟酸与氟化铵按预设比例组成的溶液，所述氢氟酸与氟化铵的预设比例为1：1至1：40；所述预设时长为170秒至3600秒。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，其特征在于，所述待腐蚀层包括二氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，其特征在于，所述金属材料包括镍。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，其特征在于，所述对所述碳化硅晶圆进行光刻操作的步骤，包括：

对所述碳化硅晶圆进行涂胶操作；

对涂胶后的碳化硅晶圆进行曝光操作；

对曝光后的碳化硅晶圆进行显影操作。

5.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，其特征在于，所述光刻操作为接触式光刻、步进式光刻或电子束光刻。

6.根据权利要求4所述的碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，其特征在于，所述对设置于所述碳化硅晶圆正面的待腐蚀层进行湿法腐蚀操作的步骤之后，还包括：去除所述涂胶操作过程中覆盖于待腐蚀层表面的光刻胶。

7.根据权利要求6所述的碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，其特征在于，所述去除所述涂胶操作过程中覆盖于待腐蚀层表面的光刻胶的步骤，包括：将湿法腐蚀后的碳化硅晶圆依次浸入丙酮溶液、无水乙醇和去离子水以去除所述覆盖于待腐蚀层表面的光刻胶。

8.根据权利要求6所述的碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，其特征在于，所述去除所述涂胶操作过程中覆盖于待腐蚀层表面的光刻胶的步骤，包括：将湿法腐蚀后的碳化硅晶圆放入光刻机进行泛曝光，然后使用显影液显影去胶。

9.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，其特征在于，所述保护膜为Achilles膜。

10.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，其特征在于，所述对设置于所述碳化硅晶圆正面的待腐蚀层进行湿法腐蚀操作的步骤之后，还包括：去除所述金属材料表面覆盖的耐高温及耐腐蚀的保护膜。