[发明专利]碳化硅晶圆湿法腐蚀方法

说明书

本发明涉及一种碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，该湿法腐蚀方法包括：获取碳化硅晶圆，所述碳化硅晶圆的正面设置有待腐蚀层，所述碳化硅晶圆的背面设置有与所述碳化硅晶圆欧姆接触的金属材料；在设置于所述碳化硅晶圆背面的金属材料表面覆盖耐腐蚀的保护膜，所述耐腐蚀的保护膜用于在湿法腐蚀操作过程中保护所述金属材料；对设置于所述碳化硅晶圆正面的待腐蚀层进行湿法腐蚀操作。通过在与碳化硅晶圆欧姆接触的金属材料表面覆盖耐腐蚀的保护膜，可以在湿法腐蚀操作过程中保护该金属材料，使得该金属材料在湿法腐蚀过程不被破坏，从而使得腐蚀操作更便捷，并且覆盖于金属材料表面的保护膜不会对机械手臂造成污染。

技术领域

本发明涉及湿法腐蚀技术领域，特别是涉及一种碳化硅晶圆湿法腐蚀方法。

背景技术

晶圆是指半导体集成电路制作所用的晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；晶圆是制造半导体芯片的基本材料，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。在硅晶圆上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的IC(IntegratedCircuit，集成电路)产品。

碳化硅(SiC)晶圆在半导体技术中应用非常广泛，碳化硅晶圆制造过程主要包括光刻以及湿法腐蚀等过程，然而在碳化硅晶圆的制造过程中，光刻以及湿法腐蚀过程通常会对碳化硅晶圆背面欧姆接触的金属材料(通常为镍)造成破坏，从而影响该金属材料与碳化硅晶圆背面的欧姆接触效果。

为解决上述问题，传统技术采用的方法为：在碳化硅晶圆背面覆盖一层光刻胶，以保护与碳化硅晶圆背面欧姆接触的金属材料。然而，这种方法需要对碳化硅晶圆进行二次涂胶，从而使得腐蚀过程更加复杂，并且碳化硅晶圆背面覆盖的光刻胶会对制造设备的机械手臂造成污染。

发明内容

基于此，有必要针对传统技术中需要二次涂胶以及会对机械手臂造成污染的问题，提供一种腐蚀操作更便捷且不会对机械手臂造成污染的碳化硅晶圆湿法腐蚀方法。

一种碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，包括：

获取碳化硅晶圆，所述碳化硅晶圆包括正面和与所述正面相对设置的背面，所述碳化硅晶圆的正面设置有待腐蚀层，所述碳化硅晶圆的背面设置有与所述碳化硅晶圆欧姆接触的金属材料；

在设置于所述碳化硅晶圆背面的金属材料表面覆盖耐腐蚀的保护膜，所述耐腐蚀的保护膜用于在湿法腐蚀操作过程中保护所述金属材料；

对设置于所述碳化硅晶圆正面的待腐蚀层进行湿法腐蚀操作。

在其中一个实施例中，所述对设置于所述碳化硅晶圆正面的待腐蚀层进行湿法腐蚀操作的步骤，包括：在预设腐蚀温度下，利用腐蚀溶液对所述碳化硅晶圆的待腐蚀层进行预设时长的湿法腐蚀操作。

在其中一个实施例中，所述预设腐蚀温度为10摄氏度至70摄氏度；所述腐蚀溶液为由氢氟酸与氟化铵按预设比例组成的溶液，所述氢氟酸与氟化铵的预设比例为1：1至1：40；所述预设时长为170秒至3600秒。

在其中一个实施例中，所述在设置于所述碳化硅晶圆背面的金属材料表面覆盖耐腐蚀的保护膜之后，所述对设置于所述碳化硅晶圆正面的待腐蚀层进行湿法腐蚀操作之前，还包括：对所述碳化硅晶圆进行光刻操作。

在其中一个实施例中，所述对所述碳化硅晶圆进行光刻操作的步骤，包括：

对所述碳化硅晶圆进行涂胶操作；

对涂胶后的碳化硅晶圆进行曝光操作；

对曝光后的碳化硅晶圆进行显影操作。

在其中一个实施例中，所述光刻操作为接触式光刻、步进式光刻或电子束光刻。

在其中一个实施例中，所述耐腐蚀的保护膜为耐高温及耐腐蚀的保护膜，所述耐高温及耐腐蚀的保护膜用于在所述光刻操作过程及所述湿法腐蚀操作过程中保护所述金属材料。