[发明专利]一种高压静电放电钳位保护元件及集成电路芯片有效
| 申请号： | 201711444115.X | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109979929B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 谷欣明;陈捷;朱恺 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压静电放电钳位保护元件。该高压静电放电钳位保护元件包括多个低压NMOS晶体管和对应于每个低压NMOS晶体管的电流触发结构，每个低压NMOS晶体管分别与电流触发结构连接；高压静电放电钳位保护元件的输入端与静电放电信号连接，高压静电放电钳位保护元件的输出端接地。电流触发结构用于实现在静电放电信号到达高压静电放电钳位保护元件前开启该高压静电放电钳位保护元件。采用本发明的集成电路芯片不仅有效避免产生漏电现象和快反向现象，还提高了其抗静电放电的耐受力和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 静电 放电 保护 元件 集成电路 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种高压静电放电钳位保护元件，其特征在于包括多个低压NMOS晶体管和对应于每个所述低压NMOS晶体管的电流触发结构，每个所述低压NMOS晶体管分别与所述电流触发结构连接；所述高压静电放电钳位保护元件的输入端与静电放电信号连接，所述高压静电放电钳位保护元件的输出端接地；所述电流触发结构用于实现在所述静电放电信号到达所述高压静电放电钳位保护元件前开启所述高压静电放电钳位保护元件。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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