[发明专利]耐电弧的开裂阻止有效
| 申请号： | 201711440961.4 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109473420B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | V·J·麦加海伊;N·A·保罗莫夫;姚绍宁;A·阿罗拉 | 申请（专利权）人： | 格芯美国公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及耐电弧的开裂阻止。本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及耐电弧的开裂阻止结构及其制造方法。该结构包括：开裂阻止结构，其包括围绕集成电路的有源区域的双轨道；以及BOx穿通电接触，其将双轨道中的每一个电连接到下层衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 电弧 开裂 阻止 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：开裂阻止结构，其包括围绕集成电路的有源区域的双轨道；以及BOx穿通电接触，其将所述双轨道中的每一个电连接到下层衬底。
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