[发明专利]耐电弧的开裂阻止

说明书

本发明涉及耐电弧的开裂阻止。本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及耐电弧的开裂阻止结构及其制造方法。该结构包括：开裂阻止结构，其包括围绕集成电路的有源区域的双轨道；以及BOx穿通电接触，其将双轨道中的每一个电连接到下层衬底。

技术领域

本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及耐电弧的开裂阻止(crackstop)结构及其制造方法。

背景技术

开裂阻止结构形成在芯片的有源区域周围的电介质材料中，以防止开裂传播到有源区域。开裂阻止结构可以是边缘密封结构，其防止水汽和氧化进入芯片的有源区域。

开裂阻止结构通常是大的金属环结构。然而，这些结构在半导体制造过程中的等离子体蚀刻期间易于产生电弧。RF技术中使用的高电阻率SOI衬底的电弧敏感性进一步增加。例如，高电阻率衬底(用于RF技术中)促进等离子体不均匀性/不稳定性，导致产生电弧和器件充电。在没有被电连接的相邻金属结构之间也经常发生电弧损害。这在双轨道开裂阻止结构中尤其令人担忧，其在相邻轨道之间或与相邻金属结构之间呈现电弧放电(arcing)。

发明内容

在本公开的方面中，一种结构包括：开裂阻止结构，其包括围绕集成电路的有源区域的双轨道；以及BOx穿通电接触，其将所述双轨道中的每一个电连接到下层衬底。

在本公开的方面中，一种结构包括：非相交的金属开裂阻止轨道，其包括围绕集成电路的有源区域的外部开裂阻止结构和围绕所述集成电路的所述有源区域的内部开裂阻止结构；以及BOx穿通电接触，其将所述外部开裂阻止结构和所述内部开裂阻止结构中的每一者电连接到绝缘体上硅技术的下层衬底。

在本公开的方面中，一种方法包括形成通过SOI技术的绝缘体层和半导体层的BOx穿通电接触，以将非相交的金属开裂阻止轨道电连接到下层衬底。

附图说明

通过本公开的示例性实施例的非限制性实例并参考所述多个附图，在以下详细描述中描述本公开。

图1示出了根据本公开的方面的具有BOx接触的双轨道开裂阻止及其制造工艺的俯视平面图。

图2示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的沿图1的线A-A的具有BOx接触的双轨道开裂阻止以及相应的制造工艺的横截面图。

具体实施方式

本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及耐电弧的开裂阻止结构和制造方法。更具体地，本公开描述了其中轨道共享BOx(BI)接触的双轨道开裂阻止结构。有利地，共享的BOx接触允许轨道浮动到相同的电势，由此减少或甚至消除轨道之间的电弧放电。

在实施例中，这里描述的耐电弧的开裂阻止结构是可以充当水汽/氧化阻挡层的双轨道开裂阻止结构。而且，在实施例中，双轨道开裂阻止结构可以用作边缘密封结构。双轨道开裂阻止结构包括由导电材料构成的两个不相交的金属开裂阻止轨道。BOx穿通(through-BOx)电接触电连接到两个不相交的金属开裂阻止轨道，并电连接到衬底。在这种配置中，现在有可能通过允许轨道通过到衬底的共同接触而浮动到相同的电势来避免开裂阻止的轨道到轨道的电弧放电，以及通过不直接将轨道彼此连接来避免开裂阻止冗余度的损失。

本公开的耐电弧的开裂阻止结构可以使用多种不同的工具以多种方式来制造。一般而言，方法和工具被用于形成具有微米和纳米尺寸的结构。已从集成电路(IC)技术中采用了用于制造本公开的耐电弧的开裂阻止结构的方法，即，技术。例如，该结构可以建立在晶片上，并且以通过光刻工艺被图案化的材料膜来实现。特别地，耐电弧的开裂阻止结构的制造使用三个基本构建块：(i)将薄膜材料沉积在衬底上，(ii)通过光刻成像在膜的顶部施加图案化的掩模，以及(iii)选择性地将膜蚀刻到掩模。