[发明专利]耐电弧的开裂阻止

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

开裂阻止结构，其包括围绕集成电路的有源区域的双轨道；以及

BOx穿通电接触，其将所述双轨道中的每一个电连接到下层衬底，

其中，所述下层衬底是绝缘体上硅SOI技术，以及所述BOx穿通电接触延伸穿过所述SOI技术的半导体材料和绝缘体层以电连接到在所述绝缘体层下方的所述下层衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述双轨道包括外部轨道和内部轨道。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述BOx穿通电接触位于所述外部轨道与所述内部轨道之间。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述BOx穿通电接触由延伸穿过所述SOI技术的所述绝缘体层的钨条构成。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述BOx穿通电接触由沿所述集成电路的区域的周边延伸的多晶硅带之上的钨条构成。

6.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述外部轨道和所述内部轨道是彼此电隔离的不相交的金属开裂阻止轨道。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中所述不相交的金属开裂阻止轨道由铜、钨或基于铝的冶金构成。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，进一步包括从所述不相交的金属开裂阻止轨道延伸并且电接触所述BOx穿通接触结构的多个接片，所述多个接片彼此不电接触。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述多个接片彼此等距间隔开。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述多个接片中的单独的接片电连接到所述外部轨道和所述内部轨道。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述双轨道具有共同的BOx穿通电接触。

12.一种半导体结构，包括：

不相交的金属开裂阻止轨道，其包括围绕集成电路的有源区域的外部开裂阻止结构和围绕所述集成电路的所述有源区域的内部开裂阻止结构；以及

BOx穿通电接触，其将所述外部开裂阻止结构和所述内部开裂阻止结构中的每一者电连接到绝缘体上硅SOI技术的下层衬底，

其中，所述BOx穿通电接触延伸穿过所述SOI技术的半导体材料和绝缘体层以电连接到在所述绝缘体层下方的所述下层衬底。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中所述BOx穿通电接触位于所述外部开裂阻止结构和所述内部开裂阻止结构之间。

14.根据权利要求12所述的半导体结构，其中所述BOx穿通电接触由延伸通过所述SOI技术的所述绝缘体层的钨条构成。

15.根据权利要求12所述的半导体结构，其中所述BOx穿通电接触由位于多晶硅带上的钨条构成。

16.根据权利要求12所述的半导体结构，其中所述外部开裂阻止结构和所述内部开裂阻止结构彼此电隔离。

17.根据权利要求12所述的半导体结构，进一步包括从所述不相交的金属开裂阻止轨道延伸并电接触所述BOx穿通接触结构的多个接片，所述多个接片彼此不电接触。

18.一种用于制造半导体结构的方法，包括形成通过SOI技术的绝缘体层和半导体层的BOx穿通电接触，以将不相交的金属开裂阻止轨道电连接到所述SOI技术中的在所述绝缘体层下方的下层衬底。