[发明专利]一种CMOSLDO及改善其负载响应特性的系统

摘要

本发明公开了一种CMOS LDO及改善其负载响应特性的系统，包括控制模块及附加尾电流生成模块；控制模块的输入端分别与CMOS LDO中的CMOS误差放大器的正相输入端及反相输入端连接，用于当正相输入端及反相输入端的差值不为零时，生成控制信号至附加尾电流生成模块；附加尾电流生成模块用于在接收到控制信号后，在输入对管的公共端生成附加的尾电流，以减小CMOS LDO的输出过冲，当控制信号消失后，附加的尾电流变为零。本发明通过增加动态的附加的尾电流实现了CMOS LDO低静态工作电流的同时降低输出过冲，降低了CMOS LDO的功耗，提高了CMOS LDO的安全性能。

主权项

一种改善CMOS LDO负载响应特性的系统，应用于CMOS LDO，其特征在于，该系统包括控制模块及附加尾电流生成模块；所述控制模块的输入端分别与所述CMOS LDO中的CMOS误差放大器的正相输入端及反相输入端连接，所述控制模块的输出端与所述附加尾电流生成模块的输入端连接，用于当所述正相输入端及所述反相输入端的差值不为零时，生成控制信号至所述附加尾电流生成模块；所述附加尾电流生成模块的输出端与所述CMOS误差放大器中输入对管的公共端连接，用于在接收到所述控制信号后，在所述输入对管的公共端生成附加的尾电流，以减小所述CMOS LDO的输出过冲，当所述控制信号消失后，所述附加的尾电流变为零。