[发明专利]一种CMOSLDO及改善其负载响应特性的系统

权利要求书

1.一种改善CMOS LDO负载响应特性的系统，应用于CMOS LDO，其特征在于，该系统包括控制模块及附加尾电流生成模块；

所述控制模块的输入端分别与所述CMOS LDO中的CMOS误差放大器的正相输入端及反相输入端连接，所述控制模块的输出端与所述附加尾电流生成模块的输入端连接，用于当所述正相输入端及所述反相输入端的差值不为零时，生成控制信号至所述附加尾电流生成模块；

所述附加尾电流生成模块的输出端与所述CMOS误差放大器中输入对管的公共端连接，用于在接收到所述控制信号后，在所述输入对管的公共端生成附加的尾电流，以减小所述CMOS LDO的输出过冲，当所述控制信号消失后，所述附加的尾电流变为零。

2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述控制模块包括第一比较器、第二比较器、第一PMOS、第二PMOS、第一恒流源及电源，其中：

所述第一比较器的正相输入端及所述第二比较器的反相输入端均与所述CMOS误差放大器的反相输入端连接，所述第一比较器的反相输入端及所述第二比较器的正相输入端均与所述CMOS误差放大器的正相输入端连接，所述第一比较器的输出端与所述第一PMOS的栅极连接，所述第二比较器的输出端与所述第二PMOS的栅极连接，所述第一PMOS的源极及所述第二PMOS的源极均与所述第一恒流源的负端连接，所述第一恒流源的正端与所述电源连接，所述第一PMOS的漏极与所述第二PMOS的漏极连接，其公共端作为所述控制模块的输出端。

3.如权利要求2所述的系统，其特征在于，所述附加尾电流生成模块包括放电单元、第一电容、稳压管、第一NMOS、源极电阻及镜像电流模块，其中：

所述放电单元的第一端分别与所述第一电容的第一端、所述稳压管的阴极及所述第一NMOS的栅极连接，其公共端作为所述附加尾电流生成模块的输入端，所述放电单元的第二端及所述第一电容的第二端、所述稳压管的阳极均接地，所述第一NMOS的源极通过源极电阻接地，所述第一NMOS的漏极与所述镜像电流模块的输入端连接，所述镜像电流模块的输出端作为所述附加尾电流生成模块的输出端。

4.如权利要求3所述的系统，其特征在于，所述放电单元为第二恒流源或者电阻，其中，所述第二恒流源的正端作为所述放电单元的第一端，所述第二恒流源的负端作为所述放电单元的第二端。

5.如权利要求3所述的系统，其特征在于，所述镜像电流模块包括第一电流镜和第二电流镜，所述第一电流镜包括第三PMOS及第四PMOS，所述第二电流镜包括第二NMOS及第三NMOS，其中：

所述第三PMOS的漏极作为所述镜像电流模块的输入端，所述第三PMOS的栅极分别与所述第三PMOS的漏极及所述第四PMOS的栅极连接，所述第三PMOS的源极与所述第四PMOS的源极连接，其公共端接电源，所述第四PMOS的漏极与所述第二NMOS的漏极连接，所述第二NMOS的栅极分别与所述第二NMOS的漏极及所述第三NMOS的栅极连接，所述第二NMOS的源极及所述第三NMOS的源极接地，所述第三NMOS的漏极作为所述镜像电流模块的输出端。

6.如权利要求5所述的系统，其特征在于，所述镜像电流模块还包括正端与所述第一电流镜的输入端连接、负端接地的第三恒流源。

7.如权利要求1-6任一项所述的系统，其特征在于，所述第一比较器和所述第二比较器均为输入端设置有预设失调电压的比较器。

8.如权利要求1-6任一项所述的系统，其特征在于，该系统还包括分别与所述第一比较器的输出端及所述第二比较器的输出端连接、用于为所述输出预偏置电压的预偏置电路。

9.如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述预偏置电路包括第五PMOS、第六PMOS、第七PMOS、第八PMOS及第四恒流源，其中：

所述第五PMOS的源极与电源连接，所述第五PMOS的漏极分别与所述第五PMOS的栅极及所述第六PMOS的源极连接，所述第六PMOS的漏极分别与所述第六PMOS的栅极、所述第七PMOS的栅极、所述第八PMOS的栅极及所述第四恒流源的正端连接，所述第四恒流源的负端接地，所述第七PMOS的源极与所述第一比较器的输出端连接，所述第七PMOS的漏极接地，所述第八PMOS的源极与所述第二比较器的输出端连接，所述第八PMOS的漏极接地。

10.一种CMOS LDO，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的改善CMOS LDO负载响应特性的系统。