[发明专利]预处理装置及物理气相沉积设备在审
| 申请号： | 201711428447.9 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108220874A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 常传栋;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;薛超 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/50;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种预处理装置和一种物理气相沉积设备，所述预处理装置包括：工艺腔室，用于对晶圆进行预处理；组件腔室，位于所述工艺腔室上方；静电吸附组件，设置于所述组件腔室内；基台，位于所述工艺腔室内，通过一连接部与所述静电吸附组件连接，所述基台表面朝向所述工艺腔室的底部；射频线圈，设置于所述基台下方的腔室侧壁上。所述预处理装置能够避免对晶圆表面造成损伤，提高预处理效果。 | ||
| 搜索关键词： | 预处理装置 工艺腔室 物理气相沉积设备 静电吸附组件 组件腔 预处理 室内 预处理效果 基台表面 晶圆表面 腔室侧壁 射频线圈 工艺腔 基台 晶圆 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种预处理装置，其特征在于，包括：工艺腔室，用于对晶圆进行预处理；组件腔室，位于所述工艺腔室上方；静电吸附组件，设置于所述组件腔室内；基台，位于所述工艺腔室内，通过一连接部与所述静电吸附组件连接，所述基台表面朝向所述工艺腔室的底部；射频线圈，设置于所述基台下方的腔室侧壁上。
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