[发明专利]预处理装置及物理气相沉积设备

说明书

本发明涉及一种预处理装置和一种物理气相沉积设备，所述预处理装置包括：工艺腔室，用于对晶圆进行预处理；组件腔室，位于所述工艺腔室上方；静电吸附组件，设置于所述组件腔室内；基台，位于所述工艺腔室内，通过一连接部与所述静电吸附组件连接，所述基台表面朝向所述工艺腔室的底部；射频线圈，设置于所述基台下方的腔室侧壁上。所述预处理装置能够避免对晶圆表面造成损伤，提高预处理效果。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种预处理腔室及物理气相沉积设备。

背景技术

在对晶圆表面进行物理气相沉积，例如溅射工艺时，需要对晶圆表面进行预处理，在等离子气氛下去除晶圆表面的自然氧化层、表面杂质离子、油污、颗粒等，以改善溅射前晶圆的表面状态，以提高后续物理气相沉积形成的薄膜的沉积质量。

请参考图1，为一现有技术的预处理腔体的结构示意图。

所述预处理腔体包括腔体壁10、位于腔体壁10内的基台11、位于基台11上方的腔体内壁的射频线圈14，以及位于腔体壁10顶部的风扇13。还包括一个石英罩12，设置于腔体内的基台11上方，用来粘附从晶圆表面去除的氧化物等杂质。但是粘附在石英罩12上的杂质容易在工艺工程中因为各种原因脱落到晶圆表面造成缺陷。

因此，如何避免预处理过程中对晶圆表面造成缺陷是目前亟待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种预处理装置及物理气相沉积设备，避免在预处理过程中在晶圆表面造成缺陷，从而提高物理气相沉积设备的成膜的质量。

为了解决上述问题，本发明提供了一种预处理装置，包括：工艺腔室，用于对晶圆进行预处理；组件腔室，位于所述工艺腔室上方；静电吸附组件，设置于所述组件腔室内；基台，位于所述工艺腔室内，通过一连接部与所述静电吸附组件连接，所述基台表面朝向所述工艺腔室的底部；射频线圈，设置于所述基台下方的腔室侧壁上。

可选的，还包括：位于所述工艺腔室下方的传送室以及设置于所述传送室内的用于传送晶圆的托举部件，所述传送室与工艺腔室底部连通，所述托举部件用于将晶圆托举至被基台吸附。

可选的，所述托举部件包括：驱动马达，连接所述驱动马达的升降杆，固定于所述升降杆顶部的托盘；所述托盘中部镂空。

可选的，所述传送室包括一存储位置，位于所述工艺腔室底部外侧，用于在对晶圆进行预处理过程中容纳所述托举部件。

可选的，所述传送室与工艺腔室之间具有一隔板，所述隔板上具有一开口，用于所述托举部件将晶圆托举至工艺腔室内被基台吸附。

可选的，还包括：安装于所述传送室下方的真空泵浦组件，用于对所述预处理装置内进行抽真空处理。

可选的，还包括：陶瓷屏蔽部件，位于所述工艺腔室内，与所述工艺腔室的腔体之间形成一夹层；所述基台位于所述陶瓷屏蔽部件内。

可选的，所述射频线圈位于所述工艺腔室侧壁与陶瓷屏蔽部件之间的夹层内。

为解决上述问题，本发明的具体实施方式还包括一种物理气相沉积设备，包括上述的预处理装置。

本发明的预处理装置的基台导致与工艺腔室上部，在对晶圆进行预处理时，晶圆的正面朝向工艺腔室的底部，去除的晶圆表面的氧化物等杂质直接掉落在工艺腔室底部，避免对晶圆表面造成二次污染，从而可以提高对晶圆表面进行预处理的效果。

本发明的物理气相沉积设备，包括上述预处理装置以及物理气相沉积装置。所述物理气相沉积装置可以为溅射装置，晶圆在进行溅射工艺处理之前，通过所述预处理装置进行表面预处理，去除晶圆表面的自然氧化物等杂质。由于本发明的预处理装置能够边在预处理过程中避免晶圆表面去除的杂质再次掉落在晶圆表面，从而提高晶圆表面的预处理效果，进而提高后续进行物理气相沉积形成的薄膜质量。