[发明专利]预处理装置及物理气相沉积设备

权利要求书

1.一种预处理装置，其特征在于，包括：

工艺腔室，用于对晶圆进行预处理；

组件腔室，位于所述工艺腔室上方；

静电吸附组件，设置于所述组件腔室内；

基台，位于所述工艺腔室内，通过一连接部与所述静电吸附组件连接，所述基台表面朝向所述工艺腔室的底部；

射频线圈，设置于所述基台下方的腔室侧壁上。

2.根据权利要求1所述的预处理装置，其特征在于，还包括：位于所述工艺腔室下方的传送室以及设置于所述传送室内的用于传送晶圆的托举部件，所述传送室与工艺腔室底部连通，所述托举部件用于将晶圆托举至被基台吸附。

3.根据权利要求2所述的预处理装置，其特征在于，所述托举部件包括：驱动马达，连接所述驱动马达的升降杆，固定于所述升降杆顶部的托盘；所述托盘中部镂空。

4.根据权利要求2所述的预处理装置，其特征在于，所述传送室包括一存储位置，位于所述工艺腔室底部外侧，用于在对晶圆进行预处理过程中容纳所述托举部件。

5.根据权利要求2所述的预处理装置，其特征在于，所述传送室与工艺腔室之间具有一隔板，所述隔板上具有一开口，用于所述托举部件将晶圆托举至工艺腔室内被基台吸附。

6.根据权利要求2所述的预处理装置，其特征在于，还包括：安装于所述传送室下方的真空泵浦组件，用于对所述预处理装置内进行抽真空处理。

7.根据权利要求1所述的预处理装置，其特征在于，还包括：陶瓷屏蔽部件，位于所述工艺腔室内，与所述工艺腔室的腔体之间形成一夹层；所述基台位于所述陶瓷屏蔽部件内。

8.根据权利要求7所述的预处理装置，其特征在于，所述射频线圈位于所述工艺腔室侧壁与陶瓷屏蔽部件之间的夹层内。

9.根据权利要求1所述的预处理装置，其特征在于，所述连接部用于与射频偏置电源连接，向所述基台提供偏置电压。

10.一种物理气相沉积设备，其特征在于，包括：

如权利要求1至9任一项所述的预处理装置。