[发明专利]用于形成交叉点存储器的置换材料工艺有效
| 申请号： | 201711418925.8 | 申请日： | 2015-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN108281546B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 宗沅·李;詹保罗·斯帕迪尼;斯蒂芬·W·鲁塞尔;德辰·郭 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于形成交叉点存储器的置换材料工艺。本发明揭示形成包括相变材料及/或硫属化物材料的存储器单元的方法。在一个方面中，所述方法包含提供在第一方向上延伸的下部线堆叠，所述下部线堆叠包括在下部导电线上方的牺牲线。所述方法进一步包含：通过选择性地移除所述牺牲线的牺牲材料并用硫属化物材料置换所述牺牲线而形成在所述第一方向上延伸的硫属化物线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 交叉点 存储器 置换 材料 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：形成朝向第一方向第一线堆叠，所述第一线堆叠包括第一导线上方的第一硫属化物线；以及形成朝向与所述第一方向不同的第二方向的第二线叠层，所述第二线叠层位于所述第一线叠层之上方并且包括牺牲线。
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